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公开(公告)号：CN119156013A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202311711200.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H10B43/20
Abstract: 提供了存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：第一选择线，包括第一单元区域；第二选择线，包括第二单元区域，第二单元区域设置在距第一单元区域的第一方向上；第一分离图案，在与第一方向相交的第二方向上在第一单元区域与第二单元区域之间延伸；第二分离图案，分别从第一分离图案的两个端部在第一方向和与第一方向相反的第三方向上延伸；以及第三分离图案，从第二分离图案中的至少一个第二分离图案在第二方向上延伸，并且相对于该至少一个第二分离图案被设置在与第一分离图案相反的方向上。
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公开(公告)号：CN112242402B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201911238731.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本技术包括半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：各自在垂直方向上延伸并且彼此面对的第一沟道图案和第二沟道图案；形成在第一沟道图案和第二沟道图案之间并在垂直方向上延伸的沟道分隔图案；包括导电图案的层叠物，每个导电图案围绕第一沟道图案、第二沟道图案和沟道分隔图案并且在垂直方向上彼此间隔开地层叠；设置在每个导电图案和第一沟道图案之间的第一存储器图案；以及设置在每个导电图案和第二沟道图案之间的第二存储器图案。
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公开(公告)号：CN117177574A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310187912.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 提供了一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括层叠为彼此间隔开的栅极线；主插塞，所述主插塞被布置成彼此间隔开；插塞隔离图案，所述插塞隔离图案将所述主插塞隔离成第一子插塞和第二子插塞；以及选择隔离图案，所述选择隔离图案隔离位于彼此相邻的插塞隔离图案之间的至少一条栅极线。
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公开(公告)号：CN116825757A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211323167.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/538 , H10B41/30 , H10B41/27 , H10B43/30 , H10B43/27 , H10B63/00 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和绝缘层；至少一个沟道结构，所述至少一个沟道结构穿透栅极结构，所述至少一个沟道结构在第一方向上对准；在第一方向上延伸的第一切割结构，该第一切割结构穿透所述至少一个沟道结构；接触焊盘，其与所述至少一个沟道结构的上表面接触，该接触焊盘的临界尺寸大于所述至少一个沟道结构的上表面的临界尺寸；以及第二切割结构，其与第一切割结构的上表面接触并且穿透接触焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116264773A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211172998.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开提供了存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：第一主插塞，其在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞；第三主插塞，其布置在第一主插塞和第二主插塞之间，所述第三主插塞与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，其在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方，其中，所述第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。
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公开(公告)号：CN114188343A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110360774.5
申请日：2021-04-02
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 张晶植
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本公开提供一种包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置可以包括多个存储块和至少一个绝缘桥部。所述多个存储块可以通过彼此平行的多个狭缝限定。所述至少一个绝缘桥部可以形成在位于多个存储块中的存储块的至少一侧的至少一个狭缝中，以支撑相邻的存储块。
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公开(公告)号：CN114551467B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202110690767.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 提供一种存储装置及该存储装置的制造方法。该存储装置包括：外围电路，其布置在基板上；以及栅极层叠结构，其与所述外围电路重叠。所述栅极层叠结构包括：具有大致圆柱形结构的多个第一单元插塞；以及具有大致六角棱柱形结构的多个第二单元插塞。
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公开(公告)号：CN119479738A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311711758.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本技术包括存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：存储器块，第一连接区域和第二连接区域以及在第一连接区域与第二连接区域之间的单元区域被指定在存储器块中；字线，其被包括在存储器块中；第一漏极选择线，其被包括在存储器块中并且被定位在字线上；第一漏极接触部，其接触第一连接区域的第一漏极选择线；第二漏极接触部，其接触第二连接区域的第一漏极选择线；以及第一漏极电压供应线，其共同接触第一漏极接触部和第二漏极接触部。
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