公开(公告)号：CN103915487A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310606755.1

申请日：2013-11-25

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  李美梨 ,  罗相君 ,  李宪晟

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底之上的栅绝缘层。在栅绝缘层之上形成栅电极。栅电极包括含硅电极，含硅电极包括掺杂剂、捕获掺杂剂的捕获材料以及控制掺杂剂的激活的激活控制材料。

公开(公告)号：CN103579117A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310066157.X

申请日：2013-03-01

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  罗相君 ,  殷庸硕 ,  金秀浩 ,  金台瀚 ,  李美梨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4941

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成含硅层；在含硅层之上形成含金属层；在含硅层与含金属层之间形成切口防止层；刻蚀含金属层；以及通过刻蚀切口防止层和含硅层来形成导电结构。

公开(公告)号：CN103579117B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310066157.X

申请日：2013-03-01

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  罗相君 ,  殷庸硕 ,  金秀浩 ,  金台瀚 ,  李美梨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4941

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成含硅层；在含硅层之上形成含金属层；在含硅层与含金属层之间形成切口防止层；刻蚀含金属层；以及通过刻蚀切口防止层和含硅层来形成导电结构。

公开(公告)号：CN108335980A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711383126.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 张壹植 ,  朴志焕 ,  李美梨 ,  全奉石 ,  郑镛洙 ,  黄善焕

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/3215 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/75

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成晶体管；在晶体管之上形成包括含氢顶电极的电容器；以及在形成电容器之后执行用于氢钝化的退火工艺。

公开(公告)号：CN103515243A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310136189.2

申请日：2013-04-18

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  殷庸硕 ,  李美梨

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种包括具有改善的掺杂特性的凹陷栅结构的晶体管及其制造方法。晶体管包括半导体衬底中的凹部，其中凹部被填充了包括杂质掺杂层和掺杂捕获物类的层的凹陷栅结构。捕获物类累积杂质并且使杂质扩散至凹陷栅结构的其它层。

公开(公告)号：CN108335980B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201711383126.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 张壹植 ,  朴志焕 ,  李美梨 ,  全奉石 ,  郑镛洙 ,  黄善焕

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成晶体管；在晶体管之上形成包括含氢顶电极的电容器；以及在形成电容器之后执行用于氢钝化的退火工艺。

公开(公告)号：CN103915487B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201310606755.1

申请日：2013-11-25

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  李美梨 ,  罗相君 ,  李宪晟

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底之上的栅绝缘层。在栅绝缘层之上形成栅电极。栅电极包括含硅电极，含硅电极包括掺杂剂、捕获掺杂剂的捕获材料以及控制掺杂剂的激活的激活控制材料。

公开(公告)号：CN103515243B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310136189.2

申请日：2013-04-18

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 卢径奉 ,  殷庸硕 ,  李美梨

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种包括具有改善的掺杂特性的凹陷栅结构的晶体管及其制造方法。晶体管包括半导体衬底中的凹部，其中凹部被填充了包括杂质掺杂层和掺杂捕获物类的层的凹陷栅结构。捕获物类累积杂质并且使杂质扩散至凹陷栅结构的其它层。

公开(公告)号：CN102810554A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210170337.8

申请日：2012-05-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 白承范 ,  李泳昊 ,  李镇九 ,  李美梨

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/872 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管、具有肖特基二极管的阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括包含字线的半导体衬底、形成在所述字线上的肖特基二极管、以及形成在所述肖特基二极管上的储存层。所述肖特基二极管包括第一半导体层、形成在所述第一半导体层上并具有比所述第一半导体层低的功函数的导电层、以及形成在所述导电层上的第二半导体层。