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公开(公告)号：CN113964175A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202011381280.7
申请日：2020-12-01
Inventor： 李钟锡
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：衬底；设置在衬底上的n‑型外延层；位于n‑型外延层上并彼此间隔有沟道的p型区域和位于p型区域内的n+型区域；其中所述沟道包括：沟槽区域，其中p型区域被部分蚀刻，而使n+型区域彼此面对；和平面区域，其中p型区域没有被蚀刻而彼此面对。
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公开(公告)号：CN110444605A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201811320109.8
申请日：2018-11-07
IPC: H01L29/872 , H01L21/04
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括设置在衬底的第一表面处的n-型层；设置在n-型层顶部处的p-型区域和p+型区域；设置在p-型区域和p+型区域上的第一电极；以及设置在衬底的第二表面处的第二电极，其中，第一电极包括设置在p-型区域上的第一金属层和设置在第一金属层上的第二金属层，并且所述第一金属层与p-型区域连续接触。
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公开(公告)号：CN108615758B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710622691.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n‑型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n‑型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n‑型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。
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公开(公告)号：CN108615758A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710622691.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66015 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n-型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n-型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n-型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104752522B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410484433.9
申请日：2014-09-19
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在n‑型外延层上；n型外延层，布置在n‑型外延层和第一p+区上；第二p+区，布置在n型外延层上，并且与第一p+区相接触；肖特基电极，布置在n型外延层和第二p+区上；以及欧姆电极，布置在n+碳化硅基板的第二表面上，其中第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个垂直部的两端彼此连接的水平部，垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个第一部的第二部、以及多个连接第一部和水平部的第三部，并且第二部和第三部被定形为类杆状。
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公开(公告)号：CN108010957A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710102089.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的示例性实施例的半导体器件包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区。所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型层；布置在n-型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。
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公开(公告)号：CN104752506A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410482926.9
申请日：2014-09-19
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L21/049 , H01L29/1045 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/66477
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在第二n-型外延层上的n+区；穿过第二n-型外延层、p型外延层和n+区并被布置第一n-型外延层上的沟槽；布置在p型外延层上并与该沟槽隔开的p+区；以及位于该沟槽中的栅绝缘层，其中所述沟道被布置在沟槽两侧的第二n-型外延层以及沟槽两侧的p型外延层中。
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公开(公告)号：CN104465339A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310757104.2
申请日：2013-12-27
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/02104 , H01L21/0475 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p-型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p-型外延层，形成在n-型外延层上。
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公开(公告)号：CN103681883A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210570518.X
申请日：2012-12-25
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/0623 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及肖特基垫垒二极管及其制造方法。一种肖特基势垒二极管，可以包括配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层，配置在第一n-型外延层中的第一p+区，配置在第一n-型外延层和第一p+区上的第二n型外延层，配置在第二n型外延层中的第二p+区，配置在第二n型外延层和第二p+区上的肖特基电极，以及配置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一p+区和第二p+区可以彼此接触。
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