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公开(公告)号：CN106463613A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024163.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 在一个实施例中，一种刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。
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公开(公告)号：CN106463613B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580024163.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。
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公开(公告)号：CN103975092A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060457.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多夫·J·里维特 , 丹尼尔·迪斯塔苏 , 提摩太·J·米勒
CPC classification number: H01J37/32146 , G21K1/14 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/0044
Abstract: 一种处理系统(10)可包含：等离子体源(12)，其用于提供等离子体；以及工件固持器(28)，其经布置以接收来自所述等离子体的离子。所述处理系统可还包含脉冲偏压电路(42)，所述脉冲偏压电路电耦合到所述等离子体源且可操作以将供应到所述等离子体源的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于所述接地处于负偏压。
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公开(公告)号：CN107075662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934195A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN107075662A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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公开(公告)号：CN103229270B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180052954.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭示一种离子植入的方法。离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。
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公开(公告)号：CN102934195B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN103229270A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180052954.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。
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