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公开(公告)号：CN102428542A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN102576640A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080032799.2
申请日：2010-07-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 威廉·T·维弗 , 罗素·J·洛
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/266
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/266 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机，其中离子电流测量装置配置于罩幕的后方且与靶材基板的表面共平面，有如该靶材基板位于平台上。离子电流测量装置平移而跨越离子束。经由罩幕的多个孔径而引导的离子束的电流利用离子电流测量装置予以测量。以此方式，可根据离子电流测量装置所测量的离子电流轮廓来测定罩幕相对于离子束的位置以及罩幕的情况。
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公开(公告)号：CN102428541A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080019578.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/045 , H01J2237/31711 , H01L31/18 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
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公开(公告)号：CN103229270B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180052954.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭示一种离子植入的方法。离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。
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公开(公告)号：CN102217043B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200880125435.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·泰克雷特萨迪克 , 罗素·J·洛
IPC: H01L21/3065 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/032 , H01J2237/038 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
Abstract: 一种在加速/减速系统中降低电应力的技术。在一实施例中，此技术被理解为加速/减速系统。加速/减速系统可以包括加速柱，包括多个电极，具有带电荷粒子束可穿过的孔洞。加速/减速系统也可以包括多个电压分级元件，分别电性耦接至多个电极。加速/减速系统还包括多个绝缘导体，配置于邻近多个电压分级元件，以降低多个电压分级元件周围的电场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102217043A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200880125435.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·泰克雷特萨迪克 , 罗素·J·洛
IPC: H01L21/3065 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/032 , H01J2237/038 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
Abstract: 一种在加速/减速系统中降低电应力的技术。在一实施例中，此技术被理解为加速/减速系统。加速/减速系统可以包括加速柱，包括多个电极，具有带电荷粒子束可穿过的孔洞。加速/减速系统也可以包括多个电压分级元件，分别电性耦接至多个电极。加速/减速系统还包括多个绝缘导体，配置于邻近多个电压分级元件，以降低多个电压分级元件周围的电场。
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公开(公告)号：CN102428542B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN102576640B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080032799.2
申请日：2010-07-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 威廉·T·维弗 , 罗素·J·洛
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/266
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/266 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机，其中离子电流测量装置配置于罩幕的后方且与靶材基板的表面共平面，有如该靶材基板位于平台上。离子电流测量装置平移而跨越离子束。经由罩幕的多个孔径而引导的离子束的电流利用离子电流测量装置予以测量。以此方式，可根据离子电流测量装置所测量的离子电流轮廓来测定罩幕相对于离子束的位置以及罩幕的情况。
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公开(公告)号：CN103229270A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180052954.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。
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公开(公告)号：CN102428541B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080019578.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/045 , H01J2237/31711 , H01L31/18 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
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