公开(公告)号：CN110709369A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036002.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  原田祐作 ,  青野良太 ,  岩切翔二

IPC: C04B37/02 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06 ,  H01L23/14 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 提供一种具有高接合性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。

公开(公告)号：CN113614909A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080022199.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 井之上纱绪梨 ,  岩切翔二 ,  南方仁孝 ,  吉松亮 ,  古贺龙士 ,  山口智也

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  C04B41/83 ,  C04B35/583 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明的一个方面涉及复合体，其具备多孔性的氮化硼烧结体和填充于氮化硼烧结体的孔内的树脂，氮化硼烧结体的平均孔径为3.5μm以下。

公开(公告)号：CN113614910A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080022624.7

申请日：2020-03-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 岩切翔二 ,  武田真 ,  高田真一

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明提供氮化硅烧结体的制造方法，其具有对包含氮化硅的原料粉末进行成型并烧成的工序，原料粉末中包含的氮化硅的α化率为30质量％以下。氮化硅烧结体的热导率(20℃)超过100W/m·K，断裂韧性(KIC)为7.4MPa·m1/2以上。

公开(公告)号：CN113614051A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080022270.6

申请日：2020-03-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 井之上纱绪梨 ,  岩切翔二 ,  南方仁孝 ,  吉松亮 ,  古贺龙士 ,  山口智也

IPC: C04B38/00 ,  C04B41/83 ,  C04B35/583

Abstract: 本发明的一个方面涉及复合体的制造方法，其具备下述工序：将多孔性的氮化硼烧结体以浸渍于树脂组合物的状态置于加压条件下，之后，将氮化硼烧结体以浸渍于所述树脂组合物的状态置于较之加压条件低的压力条件下，且将所述工序重复多次。

公开(公告)号：CN106536125A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580040979.8

申请日：2015-07-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  岩切翔二 ,  福田诚 ,  后藤猛

IPC: B23K35/30 ,  C04B37/02 ,  C22C5/06

CPC classification number: B23K35/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/407 ,  C22C5/08

Abstract: 本发明提供用于陶瓷基板时使接合性提高的硬钎料。根据本发明，提供硬钎料，其特征在于，相对于72质量份以上的氧量为0.08质量％以下的银粉末与28质量份以下的氧量为0.05质量％以下的铜粉末的合计100质量份，包含1.0质量份～5.0质量份的活性金属。