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公开(公告)号:CN116248883A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202310156672.0
申请日:2023-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院
IPC: H04N19/154 , H04N19/124 , H04N19/186 , H04N19/42 , H04N19/91 , G06N3/045 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于视频感知编码优化领域,公开了一种多层级多颗粒度感知编码失真预测方法,包括如下步骤:步骤1:视觉感知效应和感知编码失真映射分析:构建各源视频的多层级恰可感知量化参数数据集和恰可感知编码失真数据集;步骤2:多层级多颗粒度感知编码失真预测:基于视觉感知机制,采用统计分析方法定性分析各视觉感知特征与恰可感知编码失真的映射关系。本发明解决了不同感知效应对于压缩视频的感知作用并不完全一致的问题、视频编码机制和视觉感知机制的联合约束增加感知编码失真理论分析难度,传统理论建模不能推导出理想的JNCD阈值模型的问题,满足了多颗粒感知编码优化的需求。
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公开(公告)号:CN116193122A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310189604.4
申请日:2023-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院
IPC: H04N19/147 , H04N19/124 , H04N19/91 , H04N19/172 , H04N19/30 , H04N19/50
Abstract: 本发明公开了一种多层级多模块协同视频感知编码优化方法及装置,通过原始视频进行编码失真预测、帧级编码失真预测及帧级量化参数的推导;对原始视频的图像进行帧内/帧间预测,并将得到的预测图像与原始图像进行差计算,得到残差图像,通过预测的编码失真,对残差图像进行残差滤波,滤波后的残差图像基于残差块变换后,再根据预测的帧级编码失真和帧级量化参数,进行感知量化;基于感知量化参数进行率失真优化,优化帧内/帧间预测;构建感知质量增强网络,用于优化帧内/帧间预测;基于优化的帧内/帧间预测,对原始视频的图像进行预测、差计算、残差滤波、变换、感知量化后,进行熵编码。
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公开(公告)号:CN108517555B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201810315141.0
申请日:2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于范德华外延获得大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜的方法,主要解决现有技术制备氧化物薄膜流程复杂的问题。其实现步骤是:1.在云母衬底上通过脉冲激光沉积技术生长氧化物薄膜;2.在氧化物薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯,再浸入弱酸性溶液,待薄膜边角微微翘起时,将其取出至清水中,利用水的张力使薄膜脱离云母衬底,再转移至后续所需要的衬底上,得到大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜。本发明通过采用云母衬底及弱酸性溶液,可获得基于范德华外延的大面积高质量柔性氧化物薄膜,且大大缩短了薄膜制备时间,可用于为柔性电子器件制备多种功能的氧化物薄膜。
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公开(公告)号:CN108801511B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201810315148.2
申请日:2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法,主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是:1.使用脉冲激光沉积技术,在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜;2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜;3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上,在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯;4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极,完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料,耗能小,且提高了应力传感器的灵敏度,实现了传感器的弯曲,满足柔性电子设备的要求,可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号:CN108801511A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810315148.2
申请日:2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法,主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是:1.使用脉冲激光沉积技术,在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜;2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜;3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上,在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯;4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极,完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料,耗能小,且提高了应力传感器的灵敏度,实现了传感器的弯曲,满足柔性电子设备的要求,可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号:CN108574043A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201810315143.X
申请日:2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器的制作方法,主要解决现有磁场强度传感器灵敏度低且不能弯曲的问题。其实现方案是:1.在钛酸锶衬底上沉积一层镧锶锰氧薄膜,并在镧锶锰氧薄膜上依次沉积铁酸钴和钛酸钡薄膜,得到多层磁电复合薄膜;2.旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜;3.将脱离衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的柔性衬底上;4.在磁电复合薄膜表面的左右两边加电极,完成磁场强度传感器的制作。本发明采用磁电复合薄膜作为传感材料,实现了传感器的弯曲,且弯曲后薄膜的磁电特性显著增强,提高了磁传感器的灵敏度,满足柔性电子设备的要求,可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号:CN108517555A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810315141.0
申请日:2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于范德华外延获得大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜的方法,主要解决现有技术制备氧化物薄膜流程复杂的问题。其实现步骤是:1.在云母衬底上通过脉冲激光沉积技术生长氧化物薄膜;2.在氧化物薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯,再浸入弱酸性溶液,待薄膜边角微微翘起时,将其取出至清水中,利用水的张力使薄膜脱离云母衬底,再转移至后续所需要的衬底上,得到大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜。本发明通过采用云母衬底及弱酸性溶液,可获得基于范德华外延的大面积高质量柔性氧化物薄膜,且大大缩短了薄膜制备时间,可用于为柔性电子器件制备多种功能的氧化物薄膜。
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公开(公告)号:CN116181792A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310292349.6
申请日:2023-03-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种双锥形箔片动静压径向气体轴承,包括轴承外圈、轴承内圈和箔片;轴承外圈上分布有进气节流结构;轴承内圈由中间的光滑表面结构和两端的锥形结构构成,光滑表面结构为圆柱形,锥形结构为圆台形,两锥形结构的小径一端分别与光滑表面结构的两端部连接;箔片包括底层箔片、波形箔片和顶层箔片,底层箔片固定在锥形结构的外壁,波形箔片的数量为多个,沿周向分布于底层箔片和顶层箔片之间,各波形箔片的第一端与底层箔片的外壁连接,第二端为自由端,顶层箔片的一端与底层箔片的外壁连接,另一端为自由端,且顶层箔片的焊接一端对应波形箔片的自由端。本发明可提高气体轴承从低速至高速过程的稳定性,增大轴承承载能力和抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN116066479A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310281634.8
申请日:2023-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: F16C32/06
Abstract: 本发明公开了一种外深腔内浅槽的高速动静压径向气体轴承,包括间隙配合的轴承外圈和轴承内圈;所述轴承外圈的外表面开有周向深槽,内表面沿周向均匀分布若干深腔,所述周向深槽与各所述深腔分别通过短毛细节流器连接;所述轴承内圈的外表面沿轴向分为三个区域,分别为中间段的流体静压形成区和左右侧的浅槽结构区,或为中间段的流体静压形成区和左右侧的微织构区;所述流体静压形成区为光滑表面,与所述深腔对应。本发明能够提高气体轴承从低速至高速过程的稳定性和精度。
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公开(公告)号:CN116066478A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310160887.X
申请日:2023-02-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明一种内圈凹形外圈节流的动静压可倾瓦组合径向滑动轴承,包括轴承外圈、轴承内圈、螺纹销和可倾瓦体;轴承外圈和轴承内圈间隙配合;轴承外圈上沿周向开设导油槽,槽内周向分布多个节流孔;轴承内圈由中间部和两个端部组成,中间部的外轮廓为柱形,端部分别连接于柱形的两端,两个端部均从远离柱形的一端向靠近柱形的一端渐缩,形成沿轴向的凹形结构,轴承外圈与端部之间构成倾斜区收敛间隙,与中间部之间构成中间油腔区间隙;在一个或两个端部的侧面沿周向开有若干槽结构,可倾瓦体通过螺纹销装配于槽结构中,可倾瓦体的厚度不大于槽结构的槽深,螺纹销为轴向或与轴向具有一定夹角,使得可倾瓦体能够产生沿螺纹销的摆动。
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