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公开(公告)号：CN117653132A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311648839.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种心、脑与心脑耦合监测评估方法，涉及脑电数据及心电数据处理技术领域，该方法包括：同步采集用户的脑电信号EEG和心电信号ECG，并对脑电信号和心电信号分别进行预处理；基于预处理后的脑电信号，计算传统脑电频域指标；基于预处理后的心电信号，计算传统心率变异性指标；基于预处理后的脑电信号和预处理后的心电信号，计算心脑耦合指标，心脑耦合指标包括大脑对心脏的作用指标及心脏对大脑的作用指标；根据传统脑电频域指标、传统心率变异性指标和心脑耦合指标，对用户的心脑健康进行评估。本发明能够计算具有动态性的心脑耦合指标，从而量化大脑和心脏之间的双向作用，实现了对用户全面的心、脑监测评估。
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公开(公告)号：CN115153562A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210427910.2
申请日：2022-04-22
Applicant: 河北医科大学第二医院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于脑电图的预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：采集预设时间段内的缺血性卒中患者的脑电图和脑电图对应的人体信息；分析缺血性卒中患者的脑电图，得到脑电图对应的脑电指标，脑电指标包括RAP、RDP、DAR、DTABR、pdBSI；将脑电指标对应的人体信息输入待参考指标模型，得到脑电指标中的待参考指标；根据待参考指标的值匹配标准数据库中参考范围，并根据参考范围预测预设间隔内的缺血性卒中患者的脑功能恢复程度，将其作为参考数据展示给医生。本发明克服了CT和MRI获取影像时间较长，导致医生无法快速诊断的问题，为医生对患者的愈后脑功能的评估和治疗，提供了除CT和MRI脑部影像之外的其他参考数据。
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公开(公告)号：CN113654403A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110987386.X
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: F41G1/54
Abstract: 本发明公开了一种基于光电瞄具的外装表结构及测试方法，包括外部旋钮控制器、高精度位移传感器、信号采集分析控制主板、外装表量计算模块、外装表量修正模块、弹性件和光电探测器；外部旋钮控制器用于控制弹性件的形变，从而牵引光电探测器在垂直方向上移动；高精度位移传感器用于测量光电探测器在垂直方向上的移动量并将其传送给信号采集分析控制主板；外装表量计算模块根据移动量计算额外装表量；外装表量修正模块根据额外装表量对实际装表的底部装表量进行修正。本发明通过在内装定表尺的基础上使用外部工具进行外装表，在不影响装表精度的情况下能够增加装表量，扩大装表范围，解决了现有的光电瞄具手动装表所使用的内装定装表量较小的问题。
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公开(公告)号：CN110422879B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910771292.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高相变潜热氧化钒粉体及其制备方法，涉及热致变色材料技术领域。本发明以五氧化二钒、草酸和PVP为开始材料，通过水热合成法制备出PVP改性的B相VO2纳米粉体；然后对PVP改性B相VO2纳米粉体在氧气氛下高温退火，制得具有高相变潜热的氧化钒粉体，该粉体由M相VO2和V6O13组成；其中：相V6O13的百分含量为1～4％，其余为M相VO2；其相变潜热均大于50J/g，相较于未添加PVP的传统真空退火制得的氧化钒粉体，依据本发明所制得氧化钒粉体的相变潜热能至少提高60％。本发明提供的制备方法反应条件温和，操作简单，能耗少，成本低，有利于批量制备。
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公开(公告)号：CN110422879A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910771292.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高相变潜热氧化钒粉体及其制备方法，涉及热致变色材料技术领域。本发明以五氧化二钒、草酸和PVP为开始材料，通过水热合成法制备出PVP改性的B相VO2纳米粉体；然后对PVP改性B相VO2纳米粉体在氧气氛下高温退火，制得具有高相变潜热的氧化钒粉体，该粉体由M相VO2和V6O13组成；其中：相V6O13的百分含量为1～4％，其余为M相VO2；其相变潜热均大于50J/g，相较于未添加PVP的传统真空退火制得的氧化钒粉体，依据本发明所制得氧化钒粉体的相变潜热能至少提高60％。本发明提供的制备方法反应条件温和，操作简单，能耗少，成本低，有利于批量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110321650A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910623121.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于新型试验设计与权重响应面的结构可靠性分析方法，该方法包括：根据星型设计法确定首次迭代响应面的试验点；通过加权最小二乘法拟合得到当前迭代响应面；通过一阶可靠性方法得到当前迭代响应面的可靠性设计点及可靠性指标；根据前一次迭代响应面，通过新型设计法确定本次迭代响应面的拟合样本；若相邻两次迭代响应面满足预设收敛条件，则停止迭代；并根据最后一次迭代所得响应面，用蒙特卡洛仿真方法计算结构的失效概率；本发明通过结合当前响应面方程与设计点求出新的拟合样本，并且引入加权机制，有效提高了响应面法的精度和计算效率。
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公开(公告)号：CN107144356B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710496167.5
申请日：2017-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供一种非制冷红外焦平面探测器阵列热响应时间测试系统及方法，包括黑体、斩波器、被测探测器组件、测试系统，测试方法为：黑体发出的辐射，经过斩波器斩波后照射到被测非制冷红外焦平面探测器阵列上，被测非制冷红外焦平面探测器阵列对不同频率的辐射产生不同的响应，通过采集不同斩波频率下被测非制冷红外焦平面探测器阵列的响应值，经过快速傅立叶变换FFT变换得到频域下相应频率点下的响应幅值，按照公式拟合求得热响应时间；本方法采用了FFT变换，有效排除了噪声对热响应时间测试的影响，测量精度高，测试结果稳定可靠；本方法利用黑体、斩波器等标准设备即可进行测试，测试用时短，可行性强，效率高。
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公开(公告)号：CN106644091A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611257182.6
申请日：2016-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
CPC classification number: G01J5/00 , G01J2005/0048
Abstract: 本发明提供一种红外热成像机芯标定装置及利用所述装置进行红外热成像机芯标定的方法，装置包括可调温黑体、可调恒温箱、XY位移电机平台以及待标定红外热成像机芯；方法为划分焦平面衬底工作温度T*，调节可调恒温箱箱内温度至划分的起始温度点，记录此时对应的焦平面衬底温度，计算出增益校正系数G、失调校正系数O参数并存储；划分环境温度S，从低到高调节黑体的温度至划分的不同温度点，计算出不同环境温度下的失调校正系数O参数并存储，随后改变恒温箱的温度，测定下一个焦平面衬底温度下的G、O参数以及不同环境温度下的O参数；本发明成功剔除了挡板，增加了系统的稳定性，并且能够对多个探测器进行校正，满足工业化检测校正的需求。
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公开(公告)号：CN103969518B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410215757.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法，该方法包括：电源电路适配设计；在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计，这个设计区别于的单一的进行电流或者单一的电压放大，本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间的对比；测试时高速采集并对噪声进行时域和频域、功率密度谱、氧化钒噪声曲线拟合以及曲线参数提取、样品优劣判断等分析；在测试环境中针对电磁和气流扰动进行了氧化钒样品的屏蔽、测试电路的屏蔽和包括采集卡以及工控机在内的屏蔽的三层屏蔽室的设计，三层屏蔽均是使用金属结构屏蔽，可以屏蔽电磁和气流的扰动。该发明的方法可实现氧化钒热敏薄膜低频噪声的可重复精确测试。
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公开(公告)号：CN101916609A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010249451.0
申请日：2010-08-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电极材料，是采用金属钒薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极，并将该种材料用作基于氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的探测器、传感器、光开关等器件的电极材料。金属钒薄膜的热导率仅为NiCr的三分之一，这有利于降低像素单元支撑结构的热导；其次，以金属钒为源材料的钒薄膜制备工艺比以NiCr合金为源的NiCr薄膜制备工艺更容易控制，也避免了NiCr合金靶的成分选择问题；第三，以金属钒薄膜为氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的引出电极，很容易获得优异的金半接触，这有助于获得低噪声器件。此外，金属钒薄膜的制备工艺和图形化工艺具有与IC制造工艺和MEMS制造工艺优良的工艺兼容性。
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