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公开(公告)号：CN107342321A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0821
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极-LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN107731901A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/7397
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107342321B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN108336133A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810131088.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952809A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710202896.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L21/316 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/26506 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。
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公开(公告)号：CN107369892B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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公开(公告)号：CN108008755A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711226737.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种内嵌基准的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明利用NPN晶体管的基极-发射极电压作为负温度系数电压，电阻电压作为正温度系数电压，采用带隙基准的方法实现温度补偿；在低压差线性稳压器的反馈环路中使用NPN晶体管和电阻构成带隙基准，同时构建误差放大通道，使得本发明提供的低压差线性稳压器能实现低温度系数的电源变换功能。本发明提出的低压差线性稳压器具有基准电压源的功能，能够集成到芯片内部供电，保持较低的静态电流；与现有低压差线性稳压器相比，本发明使用更少数量的晶体管实现了电源的变换，并保持了较低的功耗。
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公开(公告)号：CN106847884A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110296.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0619 , H01L29/0623
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗的SOI‑LIGBT器件结构，包括从下至上依次设置的P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层；P型阱区内部上方设有N型源端以及P型接触区；N‑buffer层内部上方设有N型阳极区；在N型漂移区的内部设有N型埋层、和/或P型埋层；本发明使器件结构的导通电阻得到降低；在关断过程中使得VA上升的速率在P型埋层未被耗尽之前更缓慢，在P型层耗尽完全时VA剧增；在耗尽区靠近P型埋层的边界时，给在漂移区储存的空穴提供了一个良好的泄放通道，导致储存的空穴载流子排除速度加快，拖尾时间降低；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN107731901B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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