公开(公告)号：CN108336133A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810131088.9

申请日：2018-02-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  徐少东 ,  谭犇 ,  李轩 ,  曹厚华 ,  曾莉尧 ,  张波

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。

公开(公告)号：CN108336133B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201810131088.9

申请日：2018-02-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  徐少东 ,  谭犇 ,  李轩 ,  曹厚华 ,  曾莉尧 ,  张波

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。

公开(公告)号：CN119027464A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411063642.6

申请日：2024-08-02

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李军 ,  毛雨蒙 ,  徐少东

IPC: G06T7/292 ,  G06T7/246 ,  G06T7/277 ,  G06V20/40 ,  G06V20/52 ,  G06V40/10 ,  G06V10/44 ,  G06V10/62 ,  G06V10/77 ,  G06V10/80 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种基于区域重叠度的多视角目标跟踪算法，采用多视角追踪算法利用特征降维编码器提取多相机系统前后帧图像特征；基于相机内外参数将特征量投影到鸟瞰方向；应用时序信息融合模块融合鸟瞰方向特征量；基于区域重叠度掩码划分鸟瞰方向特征量；应用行人预测解耦头、偏移预测解耦头、ID预测解耦头、前帧预测解耦头获得相应预测结果；在鸟瞰视角基于行人预测坐标、ID号以及预测前帧行人坐标更新跟踪器；多级级联匹配目标轨迹获得跟踪结果，本发明的有益效果是：基于鸟瞰视角下各个相机视图的投影面积，生成区域掩码，划分鸟瞰视角下图像特征量，并应用不同解码网络，更有效的聚合多视图信息，生成更准确的多视角目标跟踪结果。