金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法

    公开(公告)号:CN102907186A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180023190.3

    申请日:2011-04-06

    Abstract: 本发明提供一种绝缘粘合层中不残存空隙、高品质且高散热的发热电子部件安装用的金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法。包括如下工序:使分散相分散在含有湿润分散剂的绝缘粘合剂的分散介质中的分散工序(S1);一边抽出辊状的导体箔(1),一边在导体箔(1)上层合绝缘粘合剂(2)的绝缘粘合剂层合工序(S2);加热导体箔(1)上的绝缘粘合剂(2),形成导体箔(1)和B阶段状态的绝缘粘合层(2a)的复合体(5)的第一固化工序(S3);在B阶段状态的绝缘粘合层(2a)上层合金属基材(6),以获得层合体(7)的金属基材层合工序(S5);及在预定条件下将层合体(7)加热加压,使B阶段状态的绝缘粘合层(2a)成为C阶段状态的绝缘粘合层(2b)的第二固化工序(S6),由此成为金属基底基板(14)。另外,根据需要,还包括将复合体(5)或层合体(7)剪切成片状的片状剪裁工序(S4、S15)。

    金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法

    公开(公告)号:CN102907186B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201180023190.3

    申请日:2011-04-06

    Abstract: 本发明提供一种绝缘粘合层中不残存空隙、高品质且高散热的发热电子部件安装用的金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法。包括如下工序:使分散相分散在含有湿润分散剂的绝缘粘合剂的分散介质中的分散工序(S1);一边抽出辊状的导体箔(1),一边在导体箔(1)上层合绝缘粘合剂(2)的绝缘粘合剂层合工序(S2);加热导体箔(1)上的绝缘粘合剂(2),形成导体箔(1)和B阶段状态的绝缘粘合层(2a)的复合体(5)的第一固化工序(S3);在B阶段状态的绝缘粘合层(2a)上层合金属基材(6),以获得层合体(7)的金属基材层合工序(S5);及在预定条件下将层合体(7)加热加压,使B阶段状态的绝缘粘合层(2a)成为C阶段状态的绝缘粘合层(2b)的第二固化工序(S6),由此成为金属基底基板(14)。另外,根据需要,还包括将复合体(5)或层合体(7)剪切成片状的片状剪裁工序(S4、S15)。

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