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公开(公告)号：CN111095512B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201780094367.6
申请日：2017-09-08
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种确保硅片从一个清洗槽到其他清洗槽的过程中浸没在化学液中的装置和方法。装置包括内槽(1001)；至少一个隔板的清洗槽；装配有至少一对末端执行器(1051)的第一机械手(1005)，用于抓取硅片并将硅片从第一清洗槽(1011)传递到第二清洗槽(1012)；其中，每个清洗槽的底部设有一个用于保持硅片的硅片保持架(1003)，该至少一个隔板(1002)设有至少一个插槽(1004)；其中，第一机械手(1005)抓取硅片并将硅片从第一清洗槽(1011)穿过插槽(1004)传递到第二清洗槽(1012)的过程中，保持硅片浸没在化学液中。(1002)，将内槽(1001)分成至少两个装满化学液
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公开(公告)号：CN117046811A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311022827.8
申请日：2015-12-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用来清洗衬底的高温化学溶液供液系统。该系统包括溶液槽，用于容纳化学溶液；第一泵，第一泵的进口连接溶液槽，第一泵的出口连接缓冲槽；缓冲槽，包括槽体、排气管和针阀，排气管的一端连接槽体，另一端连接溶液槽，针阀安装在排气管上，针阀用于调节缓冲槽内的压力；以及第二泵，第二泵的进口连接缓冲槽，第二泵的出口连接清洗衬底的清洗腔，其中，当第二泵处于打开状态时，第一泵和针阀也处于打开状态，通过针阀和第一泵调节缓冲槽内的压力使缓冲槽内的化学溶液被压入第二泵的进口。本发明还提供了一种包括高温化学溶液供液系统和超声波/兆声波装置的衬底清洗装置。本发明还提供了清洗衬底的方法。
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公开(公告)号：CN109789450B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201680089376.1
申请日：2016-09-19
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: B08B3/12
Abstract: 本发明公开了一种使用超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)有效清洗衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的方法，包括：将液体(1032)喷射到衬底(20010)和超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值增大到第一设定值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值减小到第二设定值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底(20010)洗净。
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公开(公告)号：CN111656484A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087245.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种基板(2010、3010、4010、5010、6010、7010、8010)清洗方法，包括以下步骤：将基板(2010、3010、4010、5010、6010、7010、8010)放置在基板保持装置(1314)上；将清洗液输送到基板(2010、3010、4010、5010、6010、7010、8010)表面；实施预处理工艺以从基板(2010、3010、4010、5010、6010、7010、8010)表面分离气泡(2050、2052、3050、4050、5050、6050、7052、70584、7056、8052、8054、8056)；以及实施超声波或兆声波清洗工艺以清洗基板(2010、3010、4010、5010、6010、7010、8010)。
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公开(公告)号：CN111630649A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087254.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了清洗基板的方法和装置，该基板(1010)包括图案结构特征(4034)。清洗基板的方法包括将基板放置在可以使基板旋转的基板保持装置(1014)上；输送清洗液(1032)到基板上；当通过换能器(1004)向清洗液施加声能时，通过基板保持装置以第一速率旋转基板；当换能器没有向清洗液施加声能时，通过基板保持装置以高于第一速率的第二速率旋转基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111386157A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201780096846.1
申请日：2017-11-15
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种在清洗具有图案结构特征的半导体晶圆中控制损伤的方法，该方法包括：在清洗过程中输送清洗液到半导体晶圆表面；在该清洗过程中通过声波换能器向清洗液传递声能，其中，以在第一预定时段以第一频率和第一功率水平及在第二预定时段以第二频率和第二功率水平交替向声波换能器供电，第一预定时段和第二预定时段连续的一个接着一个；其中，第一及第二预定时段、第一及第二功率水平以及第一及第二频率中的至少一个被确定使由于传递声波能量而导致的损伤特征的百分比低于预定阈值。
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公开(公告)号：CN109791899B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201680089380.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示了一种使用超/兆声波装置(1003)清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波装置之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置(1003)；在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波装置(1003)；待气泡内的温度冷却到设定温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到衬底被洗净。
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公开(公告)号：CN109891564B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201680090186.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种对半导体基板进行湿处理的装置和方法。装置包括：工艺腔室(1005)、设置在工艺腔室内保持半导体基板(1001)的卡盘(1002)、驱动卡盘旋转的旋转驱动器(1004)、包围工艺腔室的腔室护罩(1006)、至少一个竖直驱动器驱动腔室护罩上下移动、保护罩(1007)、至少一个驱动装置(1008)驱动保护罩向下遮盖或向上举起、至少一个分配器组件(1014)，具有向半导体基板表面喷射液体的分配器(1030)。当保护罩向下遮盖工艺腔室时，腔室护罩向上移动与保护罩配合，密封工艺腔室，防止液体飞溅出工艺腔室。
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公开(公告)号：CN115910851A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211164035.X
申请日：2022-09-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提出基板处理装置及方法，涉及半导体设备技术领域，包括：夹持机构，喷头机构，旋转驱动机构，加热机构，控制机构。加热机构包括设置在基板下方的加热盘，加热盘沿径向方向开设至少两个空腔，每个空腔分布在不同半径上，在液体喷头沿基板的径向方向由基板中心向基板边缘移动的过程中，当液体喷头移动至基板上方的某一区域时，控制机构控制位于该区域对应半径上的空腔内的流体的热能，进而提高液体喷头下方基板的局部温度。本装置可以分区动态精确控制基板区域加热，实现干燥工艺过程中对基板表面液体的表面张力和蒸发速度的精确控制，避免干燥过程中基板表面的精细图案结构被损坏。
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公开(公告)号：CN107305854B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201610255859.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种集成电路基板清洗设备，包括清洗腔、摆臂装置和易燃液体供液系统，清洗腔内设有载盘和与载盘垂直固定的支撑轴，支撑轴由驱动装置驱动旋转；摆臂装置包括底座、液体管，液体管包括竖直管体和水平管体，竖直管体垂直固定在底座上并与易燃液体供液系统连通供液，水平管体上设有液体喷头，液体喷头面向载盘，液体管的外壁还包裹有加热套，加热套内灌有为易燃液体加热的热介质，以水浴加热的方式将热量传递给摆臂装置内的易燃液体。通过水浴加热易燃液体的方式，既防止传输过程中液体热量的损失，又避免了传统电加热方式漏电、静电等安全性问题。
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