半导体传声器单元
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101141835B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200710149022.4

    申请日:2007-09-04

    CPC classification number: H04R19/005

    Abstract: 一种半导体传声器单元包括半导体传声器芯片,该半导体传声器芯片具有覆盖支承件的内孔的隔膜。支承件经由热硬性粘合剂粘到支承基板的表面,其方式是隔膜被定位为与支承基板的表面相对,所述支承基板的热膨胀系数大于支承件的热膨胀系数。热硬性粘合剂具有这样的拉伸弹性模量:当半导体传声器芯片与支承基板一起被冷却时,在硬化状态下,允许支承基板的收缩传递到支承件。由此,可以降低隔膜的拉伸应力,所述应力在半导体传声器芯片的制造过程中产生,由此防止隔膜的强度不期望地降低;因此,可以改善半导体传声器芯片的灵敏度。

    热电材料及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1426120A

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:CN02159571.2

    申请日:2002-12-13

    CPC classification number: H01L35/16 H01L35/34

    Abstract: 本发明公开了一种热电材料,其通过下述方法制备,包括:液体淬火(S4);初始凝固(S6)如热压或挤出;以及顶锻法(S7)。尽管在热压/挤出过程中,晶粒的C-平面平行于施加的力的方向,而a-轴随机地取向;但是,通过顶锻,可以使a-轴沿预定方向(57)取向。这使得电阻率得以提高,同时不降低品质因素。

    半导体传声器单元
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101141835A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200710149022.4

    申请日:2007-09-04

    CPC classification number: H04R19/005

    Abstract: 一种半导体传声器单元包括半导体传声器芯片,该半导体传声器芯片具有覆盖支承件的内孔的隔膜。支承件经由热硬性粘合剂粘到支承基板的表面,其方式是隔膜被定位为与支承基板的表面相对,所述支承基板的热膨胀系数大于支承件的热膨胀系数。热硬性粘合剂具有这样的拉伸弹性模量:当半导体传声器芯片与支承基板一起被冷却时,在硬化状态下,允许支承基板的收缩传递到支承件。由此,可以降低隔膜的拉伸应力,所述应力在半导体传声器芯片的制造过程中产生,由此防止隔膜的强度不期望地降低;因此,可以改善半导体传声器芯片的灵敏度。

    热电材料及其制备方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100355099C

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN02159571.2

    申请日:2002-12-13

    CPC classification number: H01L35/16 H01L35/34

    Abstract: 本发明公开了一种热电材料,其通过下述方法制备,包括:液体淬火(S4);初始凝固(S6)如热压或挤出;以及顶锻法(S7)。尽管在热压/挤出过程中,晶粒的C-平面平行于施加的力的方向,而a-轴随机地取向;但是,通过顶锻,可以使a-轴沿预定方向(57)取向。这使得电阻率得以提高,同时不降低品质因素。

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