公开(公告)号：CN109584914A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811323753.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN104704570B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201380053837.6

申请日：2013-10-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.吴 ,  H.Q.吴

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C8/08 ,  G11C5/14 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 非易失性存储器装置包括非易失性存储器单元的N个平面(102a,102b)（其中N为大于1的整数）。非易失性存储器单元(10)的每个平面包括按行(22)和列(20)配置的多个存储器单元。所述N个平面中的每个均包括栅线(26,14,28)，所述栅线跨过在其中的所述存储器单元的所述行来延伸，但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面的其它平面。控制器被配置为将多个数据字中的每个分成N个分段字，并且将每个数据字的N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。所述控制器针对所述编程使用编程电流和编程时间周期，并且可被配置为以因数改变所述编程电流，并且以所述因数相反地改变所述编程时间周期。

公开(公告)号：CN104704570A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380053837.6

申请日：2013-10-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.吴 ,  H.Q.吴

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C8/08 ,  G11C5/14 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 非易失性存储器装置包括非易失性存储器单元的N个平面(102a,102b)（其中N为大于1的整数）。非易失性存储器单元(10)的每个平面包括按行(22)和列(20)配置的多个存储器单元。所述N个平面中的每个均包括栅线(26,14,28)，所述栅线跨过在其中的所述存储器单元的所述行来延伸，但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面的其它平面。控制器被配置为将多个数据字中的每个分成N个分段字，并且将每个数据字的N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。所述控制器针对所述编程使用编程电流和编程时间周期，并且可被配置为以因数改变所述编程电流，并且以所述因数相反地改变所述编程时间周期。

公开(公告)号：CN108198581B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810146062.1

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮 ,  V.蒂瓦里

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  H10B41/10

Abstract: 本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。

公开(公告)号：CN104937718B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201480005640.X

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮 ,  V.蒂瓦里

IPC: H01L27/11519 ,  G11C16/28 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  H01L27/11519

Abstract: 本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。

公开(公告)号：CN104956444A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201480005655.6

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120-123、130-133、140-143、150-153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110-113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN104067192A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280065656.0

申请日：2012-10-10

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.吴 ,  H.Q.阮

IPC: G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 用于生成带隙电压的带隙电压生成电路带有具有两个输入和输出的运算放大器。电流镜电路具有至少两个并联电路路径。电流路径中的每个被来自运算放大器的输出控制。电流路径中的一个被耦合至到运算放大器的两个输入中的一个。电阻器除法电路被连接到另一电流路径。电阻器除法电路提供电路的带隙电压。

公开(公告)号：CN104937666B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480005641.4

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN104956444B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480005655.6

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120‑123、130‑133、140‑143、150‑153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN106062877B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201580011913.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  H.Q.阮 ,  A.利 ,  T.武

IPC: G11C7/06 ,  G11C16/28

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/065 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/004 ,  G11C16/0425 ,  G11C2216/04

Abstract: 公开了用在低功率纳米闪存装置中的改进的感测电路。