公开(公告)号：CN112442678A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010111806.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。本发明通过抑制副反应，适当降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN112553599A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010111582.6

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN119736612A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411844279.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中A为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烷基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN119736611A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411832577.9

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN112813416A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011015851.5

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  B29D7/01 ,  C23C16/30

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXoA为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烃基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。