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公开(公告)号：CN108886004B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201780015110.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体工具包含：照射源，其用以产生照射光束；一或多个照射光学元件，其用以将所述照射光束的一部分引导到样本；检测器；一或多个收集光学元件，其用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述检测器。所述控制器经配置以：在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据、选择用于对准区带确定的分析区域、将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带；使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模，且使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
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公开(公告)号：CN108886004A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780015110.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体工具包含：照射源，其用以产生照射光束；一或多个照射光学元件，其用以将所述照射光束的一部分引导到样本；检测器；一或多个收集光学元件，其用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述检测器。所述控制器经配置以：在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据、选择用于对准区带确定的分析区域、将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带；使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模，且使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
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公开(公告)号：CN111316173A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072591.X
申请日：2018-06-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统，其包括：在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像；从所述图像导出图像参数的数量；及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法，其包括：将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域；导出对每一所识别图案的OVL响应；使所述OVL响应与所测量OVL相关；及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。
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公开(公告)号：CN111316173B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201880072591.X
申请日：2018-06-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统，其包括：在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像；从所述图像导出图像参数的数量；及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法，其包括：将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域；导出对每一所识别图案的OVL响应；使所述OVL响应与所测量OVL相关；及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。
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