公开(公告)号：CN101233602A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027937.1

申请日：2006-08-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 长田贵弘 ,  知京丰裕 ,  上原刚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/303 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 通过使用常压等离子体形成第III族氮化物如GaN的薄膜。将反应室(12)充满在约40kPa的接近常压下的纯氮。将c－面蓝宝石衬底(90)置于电极(14)上。通过加热器(15)使衬底温度达到650℃。在电极(13，14)之间施加电场以形成放电空间(11a)。在气体进料系统(20)中，将少量三甲基镓加到N2中，将生成物进料到放电空间(11a)中并且使其与蓝宝石衬底(90)接触。使衬底(90)上的V/III比率处于10－100,000的范围内。

公开(公告)号：CN100589229C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200680027937.1

申请日：2006-08-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 长田贵弘 ,  知京丰裕 ,  上原刚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/303 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: [问题]通过使用常压等离子体形成第III族氮化物如GaN的薄膜。[解决问题的手段]将反应室(12)充满在约40kPa的接近常压下的纯氮。将c-面蓝宝石衬底(90)置于电极(14)上。通过加热器(15)使衬底温度达到650℃。在电极(13，14)之间施加电场以形成放电空间(11a)。在气体进料系统(20)中，将少量三甲基镓加到N2中，将生成物进料到放电空间(11a)中并且使其与蓝宝石衬底(90)接触。使衬底(90)上的V/III比率处于10-100，000的范围内。