-
公开(公告)号：CN102810289A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210177204.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/13338 , G06F3/0321 , G06F3/033 , G06F3/03542 , G06F3/03545 , G06F3/041 , G09F9/37 , G09G3/344
Abstract: 本发明提供带输入功能的显示装置。其具有被赋予表示坐标位置的位置信息图形的显示单元和使用不可见光读取位置信息图形的位置信息读取单元，显示单元具备电泳元件、在电泳元件侧的面具有第一电极的第一基板和在电泳元件侧的面具有第二电极的第二基板，电泳元件的构成部件以及位置信息图形中的任一方对于不可见光具有反射性而另一方具有吸收性。显示单元基于通过位置信息读取单元从位置信息图形读取的符号进行显示。
-
公开(公告)号：CN101043068B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710088787.1
申请日：2007-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 青木敬
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L51/0541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板，减小了其反向电流。本发明的电路基板(1)的特征在于其具备：基板(7)、安装在基板(7)的一面侧的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(2)、使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的栅绝缘层(3)和与该栅绝缘层(3)相接设置的有机半导体层(4)，在形成有所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中具有底面位于所述基板(7)的内部或基板(7)侧的凹部(8)，所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面更靠向所述基板(7)的一侧。
-
公开(公告)号：CN101179049A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710165892.0
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/60 , H01L21/48 , H05K3/00 , H05K3/46
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种接触孔的形成方法，包括：在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电层的第一工序；在基板和第一导电层上形成绝缘层的第二工序；对电极或布线上的绝缘层，从该绝缘层的面向上方，以5度～80度的范围内的角度插入切削器具的第三工序；从绝缘层抽出切削器具，在该绝缘层形成到达电极或布线的倾斜的开口部的第四工序。由此，提供在使用针等的物理的接触孔的形成中，不易产生导通不良的接触孔的形成方法、使用该方法的电路基板、半导体装置的制造方法。
-
公开(公告)号：CN101262042A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810081588.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 青木敬
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0036 , H01L51/0037
Abstract: 本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备：设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131)，设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132)，和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133)；当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时，W1、W2及W3满足W1、W2＜W3的关系。
-
公开(公告)号：CN101038952A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085759.4
申请日：2007-03-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 青木敬
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H05K1/16
Abstract: 本发明提供一种电路基板，是一种不必考虑绝缘层与半导体层之间的电阻关系等而提高半导体层中的迁移率的电路基板，本发明的电路基板的特征在于，包括：设置在基板(2)的一面侧的源电极、漏电极(5)和栅电极(6)；使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的第一绝缘层(3)；与该第一绝缘层(3)接触设置的有机半导体层(4)；与该有机半导体层(4)接触设置的第二绝缘层(7)，其中所述第二绝缘层(7)含有由下述通式(1)表示的化合物，【化1】，式中，R1和R2分别独立表示可具有取代基的亚烷基，X1、X2、X3和X4表示氢或吸电子型基团，n表示100～100000，其中，X1、X2、X3和X4全部为氢的情况除外。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103365024B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310108258.9
申请日：2013-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , C09B67/0013 , C09B67/009 , G02F2001/1678
Abstract: 本发明的电泳粒子，具有母粒和被覆层，被覆层含有多个聚合物，聚合物具备与母粒的表面结合的具有聚合开始基的聚合引发剂部、和以聚合开始基作为起点、单体通过活性自由基聚合而聚合成的聚合部，聚合物包含聚合引发剂部、第1聚合部和第2聚合部，第1聚合部由与聚合引发剂部连接的包含具有交联基团的单体的第1单体聚合成，第2聚合部由不含具有交联基团的单体的第2单体聚合成，聚合物彼此在第1聚合部的交联基团部分介由交联剂连接起来。
-
公开(公告)号：CN101262042B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810081588.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 青木敬
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0036 , H01L51/0037
Abstract: 本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备：设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131)，设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132)，和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133)；当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时，W1、W2及W3满足W1、W2＜W3的关系。
-
公开(公告)号：CN1278429C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310119520.6
申请日：2003-12-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。
-
公开(公告)号：CN104849934A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510079107.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/167 , C08F293/00
CPC classification number: B32B27/14 , B32B27/08 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B2307/202 , B32B2307/21 , C08G77/20 , C08G77/442 , C08L83/10 , C09D183/10 , G02F2001/1678 , G02F1/167
Abstract: 本发明是一种电泳粒子的制造方法，所述电泳粒子包含在表面中露出第一官能团的母粒子、和结合在母粒子上的嵌段共聚物，所述制造方法具有以下工序：通过活性聚合获得将分散部和结合部连接起来的多个嵌段共聚物的工序，所述分散部是具有有助于在分散介质中显示分散性的侧链的单体聚合而成的，所述结合部是具有与第一官能团具有反应性的第二官能团的单体M2聚合而成的；以及通过使第一官能团与第二官能团反应而使结合部与母粒子结合从而使嵌段共聚物与母粒子连接的工序。
-
公开(公告)号：CN103365024A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310108258.9
申请日：2013-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , C09B67/0013 , C09B67/009 , G02F2001/1678
Abstract: 本发明的电泳粒子，具有母粒和被覆层，被覆层含有多个聚合物，聚合物具备与母粒的表面结合的具有聚合开始基的聚合引发剂部、和以聚合开始基作为起点、单体通过活性自由基聚合而聚合成的聚合部，聚合物包含聚合引发剂部、第1聚合部和第2聚合部，第1聚合部由与聚合引发剂部连接的包含具有交联基团的单体的第1单体聚合成，第2聚合部由不含具有交联基团的单体的第2单体聚合成，聚合物彼此在第1聚合部的交联基团部分介由交联剂连接起来。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.029 seconds)
