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公开(公告)号:CN101450798A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200710196652.7
申请日:2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/28 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。
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公开(公告)号:CN101508432A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200810005631.7
申请日:2008-02-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/5215 , Y02E10/549 , Y10T428/30 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法,以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比,本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器,而不破坏所得到的CNT,这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。
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