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公开(公告)号：CN1681174A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510074156.5
申请日：2005-02-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/2063 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/32325 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，其具有这样的配置，即能够修正当在不规则表面条件下进行外延生长时折射率之间的差别。形成一种半导体激光器，其具有化合物半导体的半导体激光器元件，该化合物半导体包含至少Al和In并且具有至少p型包层、有源层和n型包层，并且该半导体激光器具有这样的配置：其中与n型包层的Al成分相比至少部分p型包层具有更大的量的Al成分，或者与p型包层的Al成分相比至少部分n型包层具有更小的量的Al成分。
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公开(公告)号：CN100479282C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580000925.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
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公开(公告)号：CN100470973C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610008584.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。
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公开(公告)号：CN1185770C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02105969.1
申请日：2002-04-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/32341
Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III-V族组合物半导体激光器件，其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即，在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外，该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p-AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度，确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级，并且抑制高阶水平横向模式，较大的有效折射率差值Δn，以及较大的θ”数值，而不需减小凸脊的宽度。
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公开(公告)号：CN1104765C
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN97117998.0
申请日：1997-08-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/10 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/327 , H01S2301/18
Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8，该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1383240A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121877.3
申请日：2002-04-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/2213
Abstract: 提供一种制造具有大的半值宽度和高的拐点电平的脊峰波导型半导体激光器的方法。首先,脊的振荡波长的有效折射率neff1和在脊的两侧的每一侧上的部分的振荡波长的有效折射率neff2之间的有效折射率差Δn表示为Δn =neff1－neff2,脊宽度表示为W。在这种假设下,在X－Y坐标上(X轴:W,Y轴:Δn)设置下列三个关系式的常数“a”、“b”、“c”和“d”。第一关系式表示为Δn a×W+b,这里“a”和“b”是确定拐点电平的常数。第二关系式表示为W≥c，这里“c”是脊形成时的最小脊宽度确定的常数。第三个关系式表示为Δn≥d,这里“d”是通过所需的半宽度值θpara确定的常数。因此以Δn和W满足上述三个关系式(1)、(2)和(3)的方式设置下列至少其中之一,即绝缘薄膜的种类和厚度、在绝缘薄膜上的电极薄膜的厚度、脊高度、以及上包层的位于脊的两侧的每一侧上的剩余层部分的厚度。
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公开(公告)号：CN1842947A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000925.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
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公开(公告)号：CN1822458A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008584.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。
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公开(公告)号：CN1380726A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105969.1
申请日：2002-04-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/32341
Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III－V族组合物半导体激光器件,其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即,在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外,该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p－AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度,确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级,并且抑制高阶水平横向模式,较大的有效折射率差值Δn,以及较大的θ”数值,而不需减小凸脊的宽度。
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公开(公告)号：CN1180257A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN97117998.0
申请日：1997-08-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/10 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/327 , H01S2301/18
Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8,该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。
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