公开(公告)号：CN1180257A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97117998.0

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平田照二 ,  内田史朗 ,  岩本浩治 ,  长崎洋树 ,  东条刚

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/065 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327 ,  H01S2301/18

Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8,该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。

公开(公告)号：CN1104765C

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN97117998.0

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平田照二 ,  内田史朗 ,  岩本浩治 ,  长崎洋树 ,  东条刚

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/065 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327 ,  H01S2301/18

Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8，该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。