公开(公告)号：CN1685516A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN100474607C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN1726594A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106098.9

申请日：2003-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L29/00 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 一种固态摄像装置，即使在过流势垒为了提高单位面积的灵敏度的目的而形成于深的位置的情况下，该固态摄像装置也可以避免信号混入相邻的像素，在半导体衬底的前侧提供有成像区，成像区包括光接收像素部分(1)和用于在一个方向上传输光接收像素部分(1)中积累的信号电荷的传输寄存器(2)。作为杂质区的势垒区(15)形成在整个成像区域上，每个区域(15)在垂直于传输方向的方向上连续，且位于传输寄存器(2)的传输方向上相邻的两个光接收像素部分之间。如此形成足以防止信号混合的势垒。

公开(公告)号：CN100536159C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200380106098.9

申请日：2003-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L29/00 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 一种固态摄像装置，即使在过流势垒为了提高单位面积的灵敏度的目的而形成于深的位置的情况下，该固态摄像装置也可以避免信号混入相邻的像素，在半导体衬底的前侧提供有成像区，成像区包括光接收像素部分(1)和用于在一个方向上传输光接收像素部分(1)中积累的信号电荷的传输寄存器(2)。作为杂质区的势垒区(15)形成在整个成像区域上，每个区域(15)在垂直于传输方向的方向上连续，且位于传输寄存器(2)的传输方向上相邻的两个光接收像素部分之间。如此形成足以防止信号混合的势垒。