公开(公告)号：CN100481482C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200480011816.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  阿部秀司 ,  黑岩淳 ,  平田清 ,  大木洋昭 ,  唐泽信浩 ,  滝泽律夫 ,  山下满 ,  佐藤充 ,  国分胜则

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。

公开(公告)号：CN1685516A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN100382327C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410071405.0

申请日：2004-04-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  唐泽信浩 ,  黑岩淳 ,  阿部秀司 ,  佐藤充 ,  大木洋昭

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14843 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14837

Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。

公开(公告)号：CN1781192A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011816.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  阿部秀司 ,  黑岩淳 ,  平田清 ,  大木洋昭 ,  唐泽信浩 ,  滝泽律夫 ,  山下满 ,  佐藤充 ,  国分胜则

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。

公开(公告)号：CN1571163A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410071405.0

申请日：2004-04-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  唐泽信浩 ,  黑岩淳 ,  阿部秀司 ,  佐藤充 ,  大木洋昭

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14843 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14837

Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。

公开(公告)号：CN100474607C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN1581498A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056500.3

申请日：2004-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 国分胜则 ,  佐藤充

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L29/66946 ,  H01L21/28247 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14806

Abstract: 构造一种固态图像传感器件，其中在光接收传感器部分一端提供电荷转移部分，电荷转移部分由多层电荷转移电极2A、2B组成，并且在多层电荷转移电极的各层电荷转移电极2A、2B的侧表面上形成的侧壁绝缘层11、8。一种形成上述固态图像传感器件的制造方法，包含用于形成电荷转移电极2A、2B的过程和用于在整个表面上形成绝缘薄膜，并且通过在这种绝缘薄膜上实现回蚀刻处理，在各层电荷转移电极2A、2B的侧表面上形成侧壁绝缘层11、8的过程。提供所述固态图像传感器件和这种固态图像传感器件的制造方法是可能的，该固态图像传感器件具有这种结构：电荷转移电极由于当隔层绝缘体在电荷转移电极上被形成时所引起的氧化作用而引起的尺寸减小能够被抑制，并且所述固态图像传感器件的像素数目能够增加，所述固态图像传感器件的密度能够增大。