公开(公告)号：CN100474607C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN1685516A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。