公开(公告)号：CN1674274A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059130.3

申请日：2005-03-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野寺孝二

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/00 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其能够在不改变晶体管的参数和不显著增加成本的情况下改善保护元件的浪涌放电容量，该半导体器件具有形成于半导体衬底上的半导体层的不同区域处的晶体管和保护元件，半导体层包括：在其表面形成有晶体管的栅极电极的未掺杂半导体的阻挡层；在保护元件侧的单层半导体层或包括作为最顶层的阻挡层的多层半导体层中形成的第一导电类型半导体区域；和在形成第一导电类型半导体区域的阻挡层中的两个分开区域处形成的第二导电类型半导体区域，其与第一导电类型半导体区域在接触表面形成彼此方向不同的保护二极管。

公开(公告)号：CN100524816C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610006359.5

申请日：2006-01-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)中，半导体基板(10)包含具有异质结的层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。

公开(公告)号：CN1819265A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006359.5

申请日：2006-01-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF用开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)，在半导体基板(10)上备有包含具有异质结的半导体层而层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。