公开(公告)号：CN100524816C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610006359.5

申请日：2006-01-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)中，半导体基板(10)包含具有异质结的层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。

公开(公告)号：CN1819265A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006359.5

申请日：2006-01-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF用开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)，在半导体基板(10)上备有包含具有异质结的半导体层而层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。

公开(公告)号：CN100411113C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410098073.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西田知矢

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  C09K13/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0883

Abstract: 一种蚀刻方法中，采用包括过氧化氢、柠檬酸、氨水和丙醇的混合溶液的蚀刻溶液；以及与蚀刻时间无关地根据执行蚀刻工艺的次数来控制蚀刻量。从而，可以用步进法进行蚀刻，由此能够高精度地控制蚀刻量。

公开(公告)号：CN1624880A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098073.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西田知矢

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  C09K13/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0883

Abstract: 一种蚀刻方法中，在与蚀刻时间无关地确定蚀刻量的条件下，根据执行蚀刻工艺的次数来控制蚀刻量。从而，可以用步进法(step－by－step manner)进行蚀刻，由此能够高精度地控制蚀刻量。