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公开(公告)号：CN111699378B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880089068.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： 马约·杜朗德热维涅
Abstract: 本发明涉及一种用于检查衬底(2)的方法(100、200)并且涉及一种实施这种方法的检查系统，所述方法包括以下步骤：在源自同一个光源(20)的两个光束(4、5)的相交处创建测量空间，并且所述测量空间包含干涉条纹，所述衬底(2)相对于所述测量空间移动；获取(102、202)表示由衬底(2)散射的光的测量信号；计算(108、208)表示缺陷(3)穿过测量空间的期望信号的至少一个期望调制频率；确定(114、214)表示所述测量信号在邻域中的频率含量的特征值，以构成表示缺陷(3)的存在的已验证信号；以及分析所述已验证信号以定位和/或识别缺陷(3)。
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公开(公告)号：CN109073566A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021710.4
申请日：2017-03-14
Applicant: 统一半导体公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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公开(公告)号：CN107076547B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580052310.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
Abstract: 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
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公开(公告)号：CN112119341A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980026694.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 统一半导体公司
Abstract: 本发明涉及一种照明设备(1、100)，其用于具有成像物镜(2)的成像系统，所述照明设备包括：套筒(10)，其被配置为围绕所述成像物镜(2)定位；至少一根光纤(14)，所述至少一根光纤与所述套筒(10)刚性连接，并且被布置为引导来自至少一个光源的光；以及引导装置(17、17')，其被配置为定向由所述至少一根光纤(14)发射的光束，以便沿照明轴线照射所述成像系统的视场，所述照明轴线相对于所述物镜(2)的光轴形成大于成像系统的数值孔径的角度。本发明还涉及一种使用该装置的成像系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107076547A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052310.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01N21/9505 , G01B11/2441 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8874
Abstract: 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
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公开(公告)号：CN106716112A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述晶片在光源的波长下至少部分透明，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸，所述区域的厚度小于所述晶片的厚度；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号，该电信号表示所收集的光的光强度随时间的变化；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过测量空间的时间特征；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在所述径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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公开(公告)号：CN109073566B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201780021710.4
申请日：2017-03-14
Applicant: 统一半导体公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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公开(公告)号：CN111699378A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880089068.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： 马约·杜朗德热维涅
Abstract: 本发明涉及一种用于检查衬底(2)的方法(100、200)并且涉及一种实施这种方法的检查系统，所述方法包括以下步骤：在源自同一个光源(20)的两个光束(4、5)的相交处创建测量空间，并且所述测量空间包含干涉条纹，所述衬底(2)相对于所述测量空间移动；获取(102、202)表示由衬底(2)散射的光的测量信号；计算(108、208)表示缺陷(3)穿过测量空间的期望信号的至少一个期望调制频率；确定(114、214)表示所述测量信号在邻域中的频率含量的特征值，以构成表示缺陷(3)的存在的已验证信号；以及分析所述已验证信号以定位和/或识别缺陷(3)。
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公开(公告)号：CN106716112B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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