公开(公告)号：CN103579374A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310341575.5

申请日：2013-08-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.斯皮茨 ,  A.戈尔拉奇 ,  T.克努普弗

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13052 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种压接二极管，其具有通过一连接层在一底座和一顶部金属线之间进行固定的半导体芯片。所述连接层至少在所述芯片正面上相对于所述芯片外缘环围地退缩。在所述半导体芯片的无连接层的区域上具有一环围的、绝缘的第一塑料层。此外，设置一完全环围的、绝缘的第二塑料层，其将所述第一塑料层的径向在内的端部区域进行搭接。

公开(公告)号：CN103579374B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201310341575.5

申请日：2013-08-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.斯皮茨 ,  A.戈尔拉奇 ,  T.克努普弗

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及一种压接二极管，其具有通过一连接层在一底座和一顶部金属线之间进行固定的半导体芯片。所述连接层至少在所述芯片正面上相对于所述芯片外缘环围地退缩。在所述半导体芯片的无连接层的区域上具有一环围的、绝缘的第一塑料层。此外，设置一完全环围的、绝缘的第二塑料层，其将所述第一塑料层的径向在内的端部区域进行搭接。