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公开(公告)号：CN110800099B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880042706.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/329 , H01L27/04 , H01L29/66 , H01L29/88 , H01Q9/16 , H03B1/00 , H03B7/08
Abstract: 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。
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公开(公告)号：CN117293132A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311319618.X
申请日：2018-06-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L27/06 , H01L29/88 , H01L29/20 , H01L23/49 , H01Q1/38 , H03B1/00 , H03B7/08 , H01Q9/16
Abstract: 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。
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公开(公告)号：CN119677185A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411299235.5
申请日：2024-09-18
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H10F30/222 , H10F77/124
Abstract: 本发明提供一种光电二极管，其包括基板和半导体层叠体。基板具有主面。半导体层叠体配置在主面上。半导体层叠体包含配置在主面上的缓冲层和配置在缓冲层上的光吸收层。光吸收层由InxGa1‑xAsyP1‑y形成，x和y大于0且小于1。缓冲层由InzGa1‑zAs形成，z大于0且小于1。
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公开(公告)号：CN111226305A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067881.5
申请日：2018-10-02
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L29/88 , H03B7/08
Abstract: 依照本发明的一个方面，提供一种太赫兹器件。上述太赫兹器件包括半导体衬底、太赫兹元件和第一整流元件。上述太赫兹元件配置于上述半导体衬底上。上述第一整流元件与上述太赫兹元件并联电连接。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111226305B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880067881.5
申请日：2018-10-02
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L29/88 , H03B7/08
Abstract: 依照本发明的一个方面，提供一种太赫兹器件。上述太赫兹器件包括半导体衬底、太赫兹元件和第一整流元件。上述太赫兹元件配置于上述半导体衬底上。上述第一整流元件与上述太赫兹元件并联电连接。
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公开(公告)号：CN112585746A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980055069.5
申请日：2019-07-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种太赫兹装置，其包括太赫兹元件、密封树脂、配线层和框状部件。上述太赫兹元件进行太赫兹波与电能量的转换。上述太赫兹元件具有在第1方向上分离的元件主面和元件背面。上述密封树脂覆盖上述太赫兹元件。上述配线层与上述太赫兹元件导通。上述框状部件由导电体形成，从上述第1方向看配置在上述太赫兹元件的周围。上述框状部件具有能够反射太赫兹波的反射面。
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公开(公告)号：CN110800099A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042706.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/329 , H01L27/04 , H01L29/66 , H01L29/88 , H01Q9/16 , H03B1/00 , H03B7/08
Abstract: 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。
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