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公开(公告)号：CN112802844A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110220052.X
申请日：2016-01-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明揭示一种存储器单元，其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极，其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径，且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
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公开(公告)号：CN106463513B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580025895.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
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公开(公告)号：CN106463513A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025895.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
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公开(公告)号：CN104919590A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380070048.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 保田周一郎 , 诺尔·洛克莱 , 史考特·E·西利士 , D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 , 陶谦
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明的一些实施例包括一种形成存储器单元的方法。切换区的第一部分形成于第一电极上。所述切换区的第二部分是使用原子层沉积形成于所述第一部分上。所述第二部分为与所述第一部分不同的组合物。离子源区形成于所述切换区上。第二电极形成于所述离子源区上。一些实施例包括一种在电极对之间具有切换区的存储器单元。所述切换区经配置以可逆地在低电阻状态与高电阻状态之间转变。所述切换区包括两个或两个以上离散部分，其中在所述高电阻状态中所述部分中的一个部分不具有与直接抵靠这一部分的任何组合物相同的非氧组分。
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公开(公告)号：CN107251223B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201680010690.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L49/02
Abstract: 本发明揭示一种存储器单元，其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极，其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径，且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919590B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201380070048.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 保田周一郎 , 诺尔·洛克莱 , 史考特·E·西利士 , D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 , 陶谦
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明的一些实施例包括一种形成存储器单元的方法。切换区的第一部分形成于第一电极上。所述切换区的第二部分是使用原子层沉积形成于所述第一部分上。所述第二部分为与所述第一部分不同的组合物。离子源区形成于所述切换区上。第二电极形成于所述离子源区上。一些实施例包括一种在电极对之间具有切换区的存储器单元。所述切换区经配置以可逆地在低电阻状态与高电阻状态之间转变。所述切换区包括两个或两个以上离散部分，其中在所述高电阻状态中所述部分中的一个部分不具有与直接抵靠这一部分的任何组合物相同的非氧组分。
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公开(公告)号：CN105556658A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480049629.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 陶谦 , 马修·N·洛克莱 , 贝丝·R·曲克 , D·V·尼马尔·拉马斯瓦米
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L28/60 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1641
Abstract: 本发明揭示一种形成铁电存储器单元的方法。所述方法包括形成展现所要主要结晶取向的电极材料。在所述电极材料之上形成铪基材料且所述铪基材料经结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。本发明也描述额外方法，以及包含铁电材料的半导体装置结构。
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公开(公告)号：CN110085590A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811385901.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 陶谦 , 马修·N·洛克莱 , 贝丝·R·曲克 , D·V·尼马尔·拉马斯瓦米
IPC: H01L27/11507 , H01L45/00 , H01L23/64
Abstract: 本发明揭示一种形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构。所述方法包括形成展现所要主要结晶取向的电极材料。在所述电极材料之上形成铪基材料且所述铪基材料经结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。本发明也描述额外方法，以及包含铁电材料的半导体装置结构。
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公开(公告)号：CN110235246A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009394.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/1157
Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区的终端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区而非沿着所述绝缘层级。所述电荷捕集材料通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区间隔开。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸且通过电介质材料与所述电荷捕集材料横向间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。
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公开(公告)号：CN105556658B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201480049629.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 陶谦 , 马修·N·洛克莱 , 贝丝·R·曲克 , D·V·尼马尔·拉马斯瓦米
IPC: H01L27/11507 , H01L23/64
Abstract: 本发明揭示一种形成铁电存储器单元的方法。所述方法包括形成展现所要主要结晶取向的电极材料。在所述电极材料之上形成铪基材料且所述铪基材料经结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。本发明也描述额外方法，以及包含铁电材料的半导体装置结构。
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