公开(公告)号：CN105612610B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201480054281.7

申请日：2014-07-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 李红旗 ,  阿努拉格·金达 ,  吕瑾 ,  夏安·拉玛林根

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明揭示具有结合负热膨胀NTE材料的互连件的半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包含衬底，所述衬底具有至少部分延伸穿过所述衬底的开口。具有正热膨胀系数CTE的导电材料部分充填所述开口。具有负CTE的负热膨胀NTE材料也部分充填所述开口。在一个实施例中，所述导电材料包含铜，且所述NTE材料包含钨酸锆。

公开(公告)号：CN114342076A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062149.6

申请日：2020-09-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·史密斯 ,  R·M·阿卜杜勒拉哈曼 ,  S·博尔萨里 ,  C·M·卡尔森 ,  D·戴寇克 ,  M·J·金 ,  吕瑾

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L23/522

Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一阶层及第二阶层的堆叠。将水平伸长的沟槽形成到所述堆叠中以形成横向间隔开的存储器块区域。在横向介于所述存储器块区域中的横向紧邻者之间的所述沟槽中的个别者中形成壁。所述壁的所述形成包括用包括绝缘氮化物及元素形式硼中的至少一者的绝缘材料加衬里于所述沟槽的侧。在所述沟槽中形成核心材料以在所述绝缘氮化物与所述元素形式硼中的所述至少一者之间横向跨越。还公开独立于方法的结构。

公开(公告)号：CN105612610A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480054281.7

申请日：2014-07-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 李红旗 ,  阿努拉格·金达 ,  吕瑾 ,  夏安·拉玛林根

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示具有结合负膨胀NTE材料的互连件的半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包含衬底，所述衬底具有至少部分延伸穿过所述衬底的开口。具有正热膨胀系数CTE的导电材料部分充填所述开口。具有负CTE的负热膨胀NTE也部分充填所述开口。在一个实施例中，所述导电材料包含铜，且所述NTE材料包含钨酸锆。