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公开(公告)号：CN108363025B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810454238.X
申请日：2018-05-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置‑重置导线组，所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置‑重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本发明的磁场传感器，其设置‑重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置‑重置磁电阻条的磁矩。
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公开(公告)号：CN108279391B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810257100.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向方法和装置，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，所述掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与所述第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条，其特征在于，所述方法包括：将所述第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)。
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公开(公告)号：CN108318838B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810181371.2
申请日：2018-03-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本发明中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
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公开(公告)号：CN108333538A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810270669.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条，所述短路条与所属的磁场传感单元的磁易轴之间的夹角称为短路条的取向角度α，所述短路条的取向角度α介于28～40度之间。本发明突破了传统对磁电阻传感器的短路条的取向角度认知，给出了短路条的最优取向角度，从而使得磁电阻传感器的灵敏度最优或更优。
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公开(公告)号：CN108318838A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810181371.2
申请日：2018-03-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本发明中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108363025A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810454238.X
申请日：2018-05-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置-重置导线组，所述设置-重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置-重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本发明的磁场传感器，其设置-重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置-重置磁电阻条的磁矩。
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公开(公告)号：CN108279391A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810257100.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向方法和装置，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，所述掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与所述第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条，其特征在于，所述方法包括：将所述第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)。
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公开(公告)号：CN104900801A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510198324.5
申请日：2015-04-23
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L43/08
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0023 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供了一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(AMR)传感器，其结构包括：位于底层的衬底层；位于衬底层上方的缓冲层；位于顶层的覆盖层；位于所述缓冲层和覆盖层之间的中间层，所述中间层包括铁磁层和反铁磁层。铁磁层受到外界大磁场干扰之后，磁矩随机取向。本发明利用反铁磁层和铁磁层之间的交换偏置作用，使得铁磁层受到大磁场干扰之后，磁矩一致取向，从而实现重置磁矩方向(SET)功能。在此基础上本发明亦提出了一种差分推挽式磁场传感器电桥。本发明涉及的反铁磁钉扎AMR传感器结构简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN208255386U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820417340.8
申请日：2018-03-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本实用新型提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向装置，其包括磁电阻传感器和掩模板，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于所述斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于所述第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)(1)。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208255388U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820437050.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种磁电阻传感器，其包括磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条，所述短路条与所属的磁场传感单元的磁易轴之间的夹角称为短路条的取向角度α，所述短路条的取向角度α介于28～40度之间。本实用新型突破了传统对磁电阻传感器的短路条的取向角度认知，给出了短路条的最优取向角度，从而使得磁电阻传感器的灵敏度最优或更优。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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