公开(公告)号：CN104900801A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510198324.5

申请日：2015-04-23

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 李大来 ,  黄正伟 ,  李斌 ,  蒋乐跃

IPC: H01L43/08

CPC classification number: G01R33/096 ,  G01R33/0023 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供了一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(AMR)传感器，其结构包括：位于底层的衬底层；位于衬底层上方的缓冲层；位于顶层的覆盖层；位于所述缓冲层和覆盖层之间的中间层，所述中间层包括铁磁层和反铁磁层。铁磁层受到外界大磁场干扰之后，磁矩随机取向。本发明利用反铁磁层和铁磁层之间的交换偏置作用，使得铁磁层受到大磁场干扰之后，磁矩一致取向，从而实现重置磁矩方向(SET)功能。在此基础上本发明亦提出了一种差分推挽式磁场传感器电桥。本发明涉及的反铁磁钉扎AMR传感器结构简单，成本较低。