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公开(公告)号：CN102239577A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148846.7
申请日：2009-12-04
Applicant: 艾比维利股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合而产生光的半导体发光器件。该半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，它们为电子和空穴的复合供应电流；从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，其位于第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极相距第一间隔，与第二分支电极相距为比第一间隔小的第二间隔。第二分支电极与第一分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上，并且第二分支电极与第三分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上。
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公开(公告)号：CN101939853A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880123677.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 艾比维利股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；多个III族氮化物半导体层，所述多个III族氮化物半导体层形成在所述衬底上，并且设置有通过电子和空穴的复合而发光的有源层；边界面，所述边界面界定在所述衬底和所述多个III族氮化物半导体层之间；和一对斜表面，所述一对斜表面由所述边界面形成在所述衬底和所述多个III族氮化物半导体层上，由此将所述有源层中产生的光发射至外部。
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公开(公告)号：CN101933167A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125877.6
申请日：2008-09-19
Applicant: 艾比维利股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本公开涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：其上形成有多个突起的衬底，所述多个突起中的每一个均具有三个锐角部分和三个钝角部分；和在所述衬底上形成的多个III族氮化物半导体层，并且所述多个III族氮化物半导体层包括通过电子和空穴的复合而发光的有源层。
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公开(公告)号：CN101390225B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780006593.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 艾比维利股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，尤其是其电极结构。所述III族氮化物半导体发光器件包含衬底、多个III族氮化物半导体层和孔洞，所述多个III族氮化物半导体层生长在所述衬底上，由第一III族氮化物半导体层、第二III族氮化物半导体层和有源层组成，所述第一III族氮化物半导体层具有第一导电性，所述第二III族氮化物半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性，所述有源层位于所述第一III族氮化物半导体层与所述第二III族氮化物半导体层之间，用于通过电子和空穴的复合来产生光，所述孔洞穿过所述衬底和所述多个III族氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101390225A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006593.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 艾比维利股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，尤其是其电极结构。所述III族氮化物半导体发光器件包含衬底、多个III族氮化物半导体层和孔洞，所述多个III族氮化物半导体层生长在所述衬底上，由第一III族氮化物半导体层、第二III族氮化物半导体层和有源层组成，所述第一III族氮化物半导体层具有第一导电性，所述第二III族氮化物半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性，所述有源层位于所述第一III族氮化物半导体层与所述第二III族氮化物半导体层之间，用于通过电子和空穴的复合来产生光，所述孔洞穿过所述衬底和所述多个III族氮化物半导体层。
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