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公开(公告)号：CN103703447A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280034545.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G06F11/00
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C29/44 , H03M13/11
Abstract: 提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703447B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201280034545.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G06F11/00
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C29/44 , H03M13/11
Abstract: 提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。
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公开(公告)号：CN102057487B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980121423.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 艾沃思宾技术公司
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , H01F10/3272 , H01F41/304 , H01F41/308 , H01L27/22
Abstract: 一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置(201、211)提供了高性能磁场传感器(200)，其仅需要通过单个参考层(60)形成的两个不同的钉扎轴(206、216)，该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状(62、63)，其长轴是按不同的取向绘制的，从而在通过适当对准的饱和场(90)对参考层进行处理并且随后移除饱和场之后，高纵横比的图案提供了迫使每个构图形状(62、63)的磁化沿其各自的所期望的轴弛豫的形状各向异性。在加热和冷却之后，铁磁膜被钉扎在不同的所期望的方向上。
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公开(公告)号：CN103460065A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017535.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y25/00 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G01R33/093
Abstract: 一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器，其仅需要两个不同的钉扎轴，其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器，其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或恢复感测层的易轴磁化，从而在测量小磁场之前将磁化取向成正确的配置。将场脉冲依次施加到Wheatstone桥结构的感测层群组，由此允许较高电流脉冲或较大传感器阵列尺寸以获得最大的信噪比。
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公开(公告)号：CN103460065B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280017535.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y25/00 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G01R33/093
Abstract: 一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器，其仅需要两个不同的钉扎轴，其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器，其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或恢复感测层的易轴磁化，从而在测量小磁场之前将磁化取向成正确的配置。将场脉冲依次施加到Wheatstone桥结构的感测层群组，由此允许较高电流脉冲或较大传感器阵列尺寸以获得最大的信噪比。
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公开(公告)号：CN102057487A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121423.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 艾沃思宾技术公司
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , H01F10/3272 , H01F41/304 , H01F41/308 , H01L27/22
Abstract: 一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置(201、211)提供了高性能磁场传感器(200)，其仅需要通过单个参考层(60)形成的两个不同的钉扎轴(206、216)，该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状(62、63)，其长轴是按不同的取向绘制的，从而在通过适当对准的饱和场(90)对参考层进行处理并且随后移除饱和场之后，高纵横比的图案提供了迫使每个构图形状(62、63)的磁化沿其各自的所期望的轴弛豫的形状各向异性。在加热和冷却之后，铁磁膜被钉扎在不同的所期望的方向上。
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