公开(公告)号：CN103988311B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201280060497.5

申请日：2012-10-31

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 刘连军 ,  P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: H01L29/82

CPC classification number: G01R33/0029 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/04 ,  G01R33/098

Abstract: 确定复位电流脉冲和第二稳定电流的至少一个的幅度和方向(它分别产生复位场和第二稳定场)，当施加到磁感测元件的阵列时，在磁传感器的运行和外部场的测量期间，使总的所需的稳定场和复位场最小化。所以弱场传感器在固定的外部场运行点周围最佳地运行(具有最高的灵敏度和最低的功耗)。固定的外部场由传感器器件外壳中的其他组件(比如扬声器磁铁)产生，关于描述方位信息的弱(地球)磁场它们具有强而且是静态的场。

公开(公告)号：CN102918413A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180024124.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  P·马瑟 ,  K·史密斯 ,  S·阿加瓦尔 ,  J·斯劳特

IPC: G01R33/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN102057487A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121423.6

申请日：2009-05-08

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： B·恩格尔 ,  P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01F41/30 ,  H01F41/34 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/304 ,  H01F41/308 ,  H01L27/22

Abstract: 一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置(201、211)提供了高性能磁场传感器(200)，其仅需要通过单个参考层(60)形成的两个不同的钉扎轴(206、216)，该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状(62、63)，其长轴是按不同的取向绘制的，从而在通过适当对准的饱和场(90)对参考层进行处理并且随后移除饱和场之后，高纵横比的图案提供了迫使每个构图形状(62、63)的磁化沿其各自的所期望的轴弛豫的形状各向异性。在加热和冷却之后，铁磁膜被钉扎在不同的所期望的方向上。

公开(公告)号：CN103081008B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。

公开(公告)号：CN102292773B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080005490.4

申请日：2010-09-27

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： P·马瑟 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐

IPC: G11C5/12

CPC classification number: H01L27/22 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01L43/08

Abstract: 三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。

公开(公告)号：CN102460575A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026087.X

申请日：2010-04-16

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: G11B5/33

CPC classification number: G01R31/318357 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/072 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  Y10T29/4902

Abstract: 一种制造处理和装置从两种差分传感器配置(502、512)提供了高性能的磁场传感器(200)，只需要由蚀刻成高纵横比形状的单个参考层形成的两个不同的钉扎轴，其长轴(506、516)关于不同的朝向延伸，使得所述高纵横比构图提供迫使每个构图形状的磁化沿其各自期望的轴松弛的形状各向异性。当加热和冷却时，铁磁膜通过以下中的一个被钉扎到不同的期望方向：1)在淀积步骤过程中修改参考层固有的各向异性，2)当蚀刻时，以与另一个构图形状的长轴的非正交角度形成一个构图形状的长轴，或者3)当钉扎参考层时施加补偿场。

公开(公告)号：CN102918413B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180024124.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  P·马瑟 ,  K·史密斯 ,  S·阿加瓦尔 ,  J·斯劳特

IPC: G01R33/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN101861622B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200880116627.6

申请日：2008-10-10

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： N·里佐 ,  P·马瑟

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明涉及具有减小的电流密度的磁性元件。一种存储装置，包括固定磁性层、在固定磁性层上方的隧道势垒层、及形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构具有弱铁磁性地耦合的子层的层。因而，低编程电压可用来避免隧道势垒击穿，并且小导通晶体管可用来节省模具不动产。

公开(公告)号：CN103460065A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017535.9

申请日：2012-02-21

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： B·恩格尔 ,  P·马瑟

IPC: G01R33/02

CPC classification number: G01R33/098 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093

Abstract: 一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器，其仅需要两个不同的钉扎轴，其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器，其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或恢复感测层的易轴磁化，从而在测量小磁场之前将磁化取向成正确的配置。将场脉冲依次施加到Wheatstone桥结构的感测层群组，由此允许较高电流脉冲或较大传感器阵列尺寸以获得最大的信噪比。

公开(公告)号：CN103081008A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。