公开(公告)号：CN103354952A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201180066320.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： K·纳盖尔 ,  K·史密斯 ,  M·霍森 ,  S·阿加瓦尔

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。该集成方法使得能够将MRAM设备的尺寸改善到至少45纳米节点，单元封装因子接近6F2，并且位线和下层存储器元件之间材料的厚度均匀。

公开(公告)号：CN103354952B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180066320.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： K·纳盖尔 ,  K·史密斯 ,  M·霍森 ,  S·阿加瓦尔

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。该集成方法使得能够将MRAM设备的尺寸改善到至少45纳米节点，单元封装因子接近6F2，并且位线和下层存储器元件之间材料的厚度均匀。

公开(公告)号：CN110678995A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880033846.1

申请日：2018-04-20

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： S·A·德施潘得 ,  S·阿加瓦尔 ,  M·霍森

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材料(220)；在第一介电材料上方沉积第二介电材料(240)；抛光第二介电材料的表面；形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔(230)。