公开(公告)号：CN103354952B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180066320.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： K·纳盖尔 ,  K·史密斯 ,  M·霍森 ,  S·阿加瓦尔

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。该集成方法使得能够将MRAM设备的尺寸改善到至少45纳米节点，单元封装因子接近6F2，并且位线和下层存储器元件之间材料的厚度均匀。

公开(公告)号：CN102918413A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180024124.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  P·马瑟 ,  K·史密斯 ,  S·阿加瓦尔 ,  J·斯劳特

IPC: G01R33/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN102918413B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180024124.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  P·马瑟 ,  K·史密斯 ,  S·阿加瓦尔 ,  J·斯劳特

IPC: G01R33/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN103354952A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201180066320.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： K·纳盖尔 ,  K·史密斯 ,  M·霍森 ,  S·阿加瓦尔

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。该集成方法使得能够将MRAM设备的尺寸改善到至少45纳米节点，单元封装因子接近6F2，并且位线和下层存储器元件之间材料的厚度均匀。