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公开(公告)号：CN104471646B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201380021675.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11B5/127 , G11C11/161 , H01L43/12 , Y10T29/49052
Abstract: 一种制造基于磁电阻的装置的方法包括金属硬掩模，其对于顶部电极刻蚀化学剂是惰性的，并在磁性堆叠溅射期间具有低的溅射率。通过光致抗蚀剂图案化金属硬掩模，然后剥去该光致抗蚀剂，并通过金属硬掩模图案化顶部电极(在基于磁电阻的装置的磁性材料上面)。
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公开(公告)号：CN112655101A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058674.8
申请日：2019-08-22
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: H01L43/12
Abstract: 一种磁存储器元件的制造，磁存储器元件包括在层间介电层(120)中的通孔(125)，该磁存储器元件提供了下层金属区域(110)和磁阻堆叠设备(例如磁隧道结(150))之间的电连接，磁存储器元件的制造涉及通过原子层沉积在通孔中形成过渡金属层(130)。该通孔可选地包括在过渡金属层上方的富钽层(140)和/或在过渡金属层下方的封盖层(115)，并且其直径可以小于或等于磁阻堆叠设备的直径。
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公开(公告)号：CN110678995A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033846.1
申请日：2018-04-20
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材料(220)；在第一介电材料上方沉积第二介电材料(240)；抛光第二介电材料的表面；形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔(230)。
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公开(公告)号：CN110050355A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075606.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。
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公开(公告)号：CN102918413A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180024124.8
申请日：2011-03-29
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113039658A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075580.1
申请日：2019-11-15
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 磁阻堆叠/结构及其制造方法，包括其中堆叠/结构包括晶种区域、布置在晶种区域上并与之接触的固定磁性区域、布置在固定磁性区域上的(一个或多个)介电层以及布置在(一个或多个)介电层上的自由磁性区域。在一个实施例中，晶种区域包括包含镍和铬的合金，该合金具有(i)大于或等于(+/‑10％)且小于或等于(+/‑10％)的厚度，并且(ii)铬的材料组成或含量在25‑60原子百分比(+/‑10％)或30‑50原子百分比(+/‑10％)的范围内。
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公开(公告)号：CN105637666A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056269.X
申请日：2014-10-09
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: H01L41/47
CPC classification number: H01L43/12 , G11B5/3163 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , Y10T29/49021
Abstract: 在进行后续蚀刻步骤之前，通过钝化磁性层的侧壁或者在侧壁上沉积非磁性电介质材料的薄膜来实现磁阻型堆叠中的磁性层的隔离。使用非反应性气体蚀刻所述磁性层还防止侧壁劣化。
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公开(公告)号：CN102349110B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080010948.5
申请日：2010-01-25
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10S438/978 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质材料；以及在所述开口内形成导电材料以形成位线。这样的工艺降低了由于工艺不规则性导致的错误，该工艺不规则性例如是位的边缘的突出从而引起的形成于其上方的包敷层中的缺陷。这样形成的位线或数字线可以是可选地在其端部逐渐变细，以防止在位线或数字线的端部没有逐渐变细情况下，由于外部磁场导致的可能会发生的该位线的磁矩的反向磁化。
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公开(公告)号：CN102349110A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080010948.5
申请日：2010-01-25
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10S438/978 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质材料；以及在所述开口内形成导电材料以形成位线。这样的工艺降低了由于工艺不规则性导致的错误，该工艺不规则性例如是位的边缘的突出从而引起的形成于其上方的包敷层中的缺陷。这样形成的位线或数字线可以是可选地在其端部逐渐变细，以防止在位线或数字线的端部没有逐渐变细情况下，由于外部磁场导致的可能会发生的该位线的磁矩的反向磁化。
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公开(公告)号：CN116669525A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310618003.0
申请日：2017-12-05
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 本公开涉及磁阻设备及其方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。
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