公开(公告)号：CN118281106B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410358352.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  李孝峰 ,  黄炳林 ,  吴乘焓 ,  王绍军 ,  陈泽锋

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/227 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。

公开(公告)号：CN118281106A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410358352.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  李孝峰 ,  黄炳林 ,  吴乘焓 ,  王绍军 ,  陈泽锋

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。

公开(公告)号：CN117832316A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311837445.0

申请日：2023-12-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  吴乘焓 ,  黄炳林 ,  李孝峰 ,  王绍军 ,  陈泽锋

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G01J5/20 ,  G01J5/48

Abstract: 本发明涉及一种基于硅基室温红外热电子光电探测器、制备方法及应用，包括基底和设置在基底上的平面多层结构，平面多层结构包括：底部导电电极、硅膜层、过渡金属膜层和透明电介质膜层，底部导电电极与硅膜层形成欧姆接触，构成光学反射器；硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基接触，设置硅膜层的厚度小于硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基结的耗尽层宽度，过渡金属膜层吸收近红外光，产生热电子注入到硅膜层中，热电子被底部电极收集形成光电流；透明电介质膜层作为减反层，能够减少入射光的反射。本发明的光电探测器具有宽带吸收、结构简单、响应速度快等优点，有助于提升近红外波段光电探测器性能且能应用于近红外波段成像与通信。