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公开(公告)号：CN118579720A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410533014.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了单晶硅翻转超构表面及柔性单晶硅超构表面的制备方法，单晶硅翻转超构表面的制备包括以下步骤：在顶硅层完成微纳结构的SOI片表面涂覆一层聚合物薄膜，将含有聚合物薄膜的SOI片浸没于HF中，当SOI片的中间氧化硅层被HF完全腐蚀后，将SOI片浸没于水中，包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜漂浮在水面上，将其180°翻转后转移至目标衬底上，得到所述单晶硅翻转超构表面。本发明方法与湿法转移结合，将超构表面进行翻转使其直接暴露在空气中，使得表面更加平坦，方便与二维材料、量子点等材料的直接集成。此外，本发明还提供了柔性单晶硅超构表面和间隙可调的单晶硅叠层超构表面的制备方法。
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公开(公告)号：CN114956089A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210476629.8
申请日：2022-04-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B33/02 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开一种超构表面或复合荧光染料超构表面的制备方法。该制备方法包括，通过在SOI绝缘衬底硅片的顶硅层进行纳米结构化处理以获得单晶硅纳米粒子阵列，使用HF溶液将绝缘衬底硅片的氧化硅层去除，将硅基底层和制作有单晶硅纳米粒子阵列的顶硅层转移到超纯水中，再将漂浮在超纯水面上的制作有单晶硅纳米粒子阵列的顶硅层打捞转移至目标衬底上，从而获得超构表面。不仅能够简易高效制作出单晶硅纳米粒子阵列超结构并循环利用，还能够将单晶硅纳米粒子阵列和荧光染料复合在一起转移至衬底上；还可以通过控制单晶硅纳米粒子阵列的荧光染料溶液薄膜的厚度并将其转移至柔性衬底制备具有柔韧性的超结构薄膜，以满足未来丰富多样的应用可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118579720B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410533014.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了单晶硅翻转超构表面及柔性单晶硅超构表面的制备方法，单晶硅翻转超构表面的制备包括以下步骤：在顶硅层完成微纳结构的SOI片表面涂覆一层聚合物薄膜，将含有聚合物薄膜的SOI片浸没于HF中，当SOI片的中间氧化硅层被HF完全腐蚀后，将SOI片浸没于水中，包裹有单晶硅纳米粒子阵列的聚合物薄膜漂浮在水面上，将其180°翻转后转移至目标衬底上，得到所述单晶硅翻转超构表面。本发明方法与湿法转移结合，将超构表面进行翻转使其直接暴露在空气中，使得表面更加平坦，方便与二维材料、量子点等材料的直接集成。此外，本发明还提供了柔性单晶硅超构表面和间隙可调的单晶硅叠层超构表面的制备方法。
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公开(公告)号：CN118281106B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410358352.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/225 , H10F30/227 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。
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公开(公告)号：CN118281106A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410358352.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。
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公开(公告)号：CN117832316A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311837445.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01J5/20 , G01J5/48
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基室温红外热电子光电探测器、制备方法及应用，包括基底和设置在基底上的平面多层结构，平面多层结构包括：底部导电电极、硅膜层、过渡金属膜层和透明电介质膜层，底部导电电极与硅膜层形成欧姆接触，构成光学反射器；硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基接触，设置硅膜层的厚度小于硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基结的耗尽层宽度，过渡金属膜层吸收近红外光，产生热电子注入到硅膜层中，热电子被底部电极收集形成光电流；透明电介质膜层作为减反层，能够减少入射光的反射。本发明的光电探测器具有宽带吸收、结构简单、响应速度快等优点，有助于提升近红外波段光电探测器性能且能应用于近红外波段成像与通信。
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公开(公告)号：CN114956089B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210476629.8
申请日：2022-04-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B33/02 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开一种超构表面或复合荧光染料超构表面的制备方法。该制备方法包括，通过在SOI绝缘衬底硅片的顶硅层进行纳米结构化处理以获得单晶硅纳米粒子阵列，使用HF溶液将绝缘衬底硅片的氧化硅层去除，将硅基底层和制作有单晶硅纳米粒子阵列的顶硅层转移到超纯水中，再将漂浮在超纯水面上的制作有单晶硅纳米粒子阵列的顶硅层打捞转移至目标衬底上，从而获得超构表面。不仅能够简易高效制作出单晶硅纳米粒子阵列超结构并循环利用，还能够将单晶硅纳米粒子阵列和荧光染料复合在一起转移至衬底上；还可以通过控制单晶硅纳米粒子阵列的荧光染料溶液薄膜的厚度并将其转移至柔性衬底制备具有柔韧性的超结构薄膜，以满足未来丰富多样的应用可能性。
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