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公开(公告)号：CN105374467B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510696751.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米转印方法及纳米功能器件，其中，纳米转印方法包括如下步骤：S1.在柔性金属基板上涂布光刻胶；S2.对所述涂布光刻胶的柔性金属基板进行光刻，形成沟槽图形；S3.第一次电铸处理，形成图形电极；S4.第二次电铸处理，形成转印层；S5.通过卷对平转印模式，控制所述柔性金属基板，在相应承接基板上转印形成纳米结构材料层。本发明可在同一基板上实现不同材质的纳米电极或纳米结构功能区的转印，或者在同一基板相同区域实现多层复合结构纳米电极和功能区的转印。其利用金属基底上的图形电极作为转移模具，通过电沉积工艺，在转印模具的电极上形成纳米级材料层，并将模具上纳米级材料层转移到相应的柔性基板表面。
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公开(公告)号：CN105489784A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510906030.3
申请日：2015-12-09
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性导电电极的制备方法及该方法制备的电极及其应用，制备方法包括以下步骤：(1)光掩膜版制备：将导电线栅光刻到光掩膜上；(2)电沉积模具制备：然后将线栅型光掩膜版进行紫外曝光，形成图形化线栅沟槽；(3)电沉积工艺：将金属基板放置于电铸沉积槽中，生成电沉积层；(4)生成柔性导电电极：将金属基板上涂布一层固化胶，柔性衬底覆盖于固化胶上，经过紫外固化后脱模，获得柔性导电电极。本发明制备的柔性导电电极的表面平整度只取决于所用金属基板材料的表面平整度，具有较高平整表面，制备的OLED装置不会因透明电极的表面起伏较大，引起背电极与基底相接触，造成短路而损毁，大大提升了使用寿命。
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公开(公告)号：CN105405752A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510932682.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法，与已有技术相比，本发明制作的柔性透明电极的导电线栅结构，有选择性电沉积过程生长而成，最小线宽可达几十纳米。但电沉积形成的纳米线栅本身电导率较高，即便线栅宽度和厚度仅为几十纳米，仍然能保证较低的方阻值。本发明提出的柔性透明电极的制作方法，不仅可以制作单一功能电极，更可以通过在纳米转印模具表面沉积不同的材料层，经过多次转印过程制作多层复合电极、或者制作具有不同导电功能区的透明电极。
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公开(公告)号：CN105814402B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201380081848.5
申请日：2013-11-27
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
CPC classification number: G02B21/0032 , G02B21/082 , G02B21/367 , G02B26/0833 , G02B27/58
Abstract: 一种连续可调结构光照明的超分辨显微成像方法与系统，包括计算机（34）、光源（12）、可变标度的傅立叶变换光路、位相分光器件（9）、双远心投影光学系统（19）、大数值孔径物镜（30）、样品平台（32）和面阵相机，特征为：傅立叶变换光路包括第一傅立叶变换透镜或透镜组（8）与第二傅立叶变换透镜或透镜组（10），位相分光器件（9）置于两者之间，与第二傅立叶变换透镜或透镜组（10）之间的距离连续可调，具有绕傅立叶变换光路的光轴旋转的运动自由度。该连续可调结构光照明的超分辨显微成像方法与系统可灵活实现连续可变空频的干涉条纹，用于共焦显微光学系统的结构光场照明，实现空间超分辨率成像；在纳秒频闪分幅照明模式下，不仅可实现超分辨率显微成像，提升纳米检测可靠性和检测速度，还可进行样品的动态检测分析，实现瞬态纳米结构的检测。
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公开(公告)号：CN105405752B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510932682.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法，与已有技术相比，本发明制作的柔性透明电极的导电线栅结构，有选择性电沉积过程生长而成，最小线宽可达几十纳米。但电沉积形成的纳米线栅本身电导率较高，即便线栅宽度和厚度仅为几十纳米，仍然能保证较低的方阻值。本发明提出的柔性透明电极的制作方法，不仅可以制作单一功能电极，更可以通过在纳米转印模具表面沉积不同的材料层，经过多次转印过程制作多层复合电极、或者制作具有不同导电功能区的透明电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106646696A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710152624.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种双带可见光宽波段吸收结构，包括：基底；金属层，其设置于基底上；金属光栅层，其设置于金属层上，金属光栅层为一维光栅，金属光栅层包括多个光栅单元，每两个相邻的光栅单元之间形成光栅凹槽，金属光栅层的周期不大于500nm、占空比在0.1‑0.7之间、高度在100‑500nm之间；金属光栅层中，其介电常数的虚部大于其介电常数的实部的绝对值；填充介质层，其填设于光栅凹槽内。本发明还提供了一种双带可见光宽波段吸收结构的制备方法。本发明与现有技术相比，其结构简单，在宽入射角度变化范围(0°‑60°)吸收效率高(最高近100％)，且TM偏振光和TE偏振光皆可实现双带宽吸收。
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公开(公告)号：CN106448825A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610917067.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: H01B5/14
Abstract: 本发明公开了一种图形化精细导电薄膜，其包括基底和图形化精细电极，图形化精细电极放置于基底上或嵌入到基底中，图形化精细电极的电极的宽度在50nm-10μm之间，高度在10nm-10μm之间，表面粗糙度在0.1nm到100nm之间。本发明同时还公开了一种图形化精细导电薄膜的制作方法。本发明实现具有精细、高透过率、低方阻、高绕曲性能的图案化电极；不存在刻蚀工艺，绿色环保，电极分辨率能达到100nm，操作简单，适合大面积、低成本生产，可以用于触控屏，太阳能电池，LCD显示，OLED显示，QLED显示等应用领域。
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公开(公告)号：CN110795968A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810869947.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明涉及生物特征识别技术，特别涉及用于获取指纹图像的装置。按照本发明一个方面的用于获取指纹图像的装置包含：第一光波导；设置于所述第一光波导下方的光源单元，其配置为提供以一定角度入射到所述第一光波导的平行光束，所述角度设定为当所述第一光波导的上表面未有物体覆盖时，使得所述平行光束在所述第一光波导内不满足全反射条件；设置于所述第一光波导表面的第一光耦合输出单元，其配置为当所述第一光波导的上表面有物体覆盖时，将所述第一光波导内发生全反射的光束引导到所述第一光波导外部并进行成像；以及设置于所述第一光耦合输出单元的成像位置处的图像接收单元。
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公开(公告)号：CN106646696B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710152624.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种双带可见光宽波段吸收结构，包括：基底；金属层，其设置于基底上；金属光栅层，其设置于金属层上，金属光栅层为一维光栅，金属光栅层包括多个光栅单元，每两个相邻的光栅单元之间形成光栅凹槽，金属光栅层的周期不大于500nm、占空比在0.1‑0.7之间、高度在100‑500nm之间；金属光栅层中，其介电常数的虚部大于其介电常数的实部的绝对值；填充介质层，其填设于光栅凹槽内。本发明还提供了一种双带可见光宽波段吸收结构的制备方法。本发明与现有技术相比，其结构简单，在宽入射角度变化范围(0°‑60°)吸收效率高(最高近100％)，且TM偏振光和TE偏振光皆可实现双带宽吸收。
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公开(公告)号：CN105807353A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610347841.9
申请日：2016-05-24
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: G02B5/22
CPC classification number: G02B5/22
Abstract: 本发明公开了一种可见光及红外波段的宽波段吸收滤光结构，其包括：基底、金属层、介质光栅层、第一金属覆盖层、介质覆盖层和第二金属覆盖层，介质光栅层的厚度为80?119nm、周期不大于400nm、占空比在0.1?0.4之间，第一金属覆盖层和第二金属覆盖层中，其介电常数的虚部大于其介电常数的实部的绝对值。本发明还公开了一种该宽波段吸收滤光结构的制备方法。本发明结构简单，在宽入射角度变化范围吸收效率高，且对入射光的偏振态不敏感。该结构可应用在太阳能电池、热光伏等宽波段太阳能吸收，也可以为无油墨印刷实现黑色提供解决方案。
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