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公开(公告)号：CN107436494A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710851837.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B27/22
Abstract: 一种3D显示装置，包括背光结构、二维图像显示器二维图像显示器和光场调制器，二维图像显示器设置于背光结构与光场调制器之间,光场调制器设置于二维图像显示器的显示面前方。本发明的3D显示装置能解决由于匹配间隙，导致光场调制器中的纳米像素与二维图像显示器上的像素对准误差问题。
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公开(公告)号：CN104185410B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410464874.2
申请日：2014-09-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微金属网格的电磁屏蔽罩及其制备方法，该方法包括：通过微纳压印方法，在柔性衬底上形成微金属网格沟槽；将纳米导电浆料通过刮涂方式填充到微金属网格沟槽中，并烧结后形成微金属网格导电薄层；通过电铸沉积后在微金属网格沟槽中形成的微金属网格；将沉积后的微金属网格从柔性衬底的微金属网格沟槽中剥离出来，形成镂空的微金属网格；将镂空的微金属网格与相同尺寸的金属薄片复合，形成复合微金属网格；将复合微金属网格固定于凹形模具上，通过压延将复合微金属网格获得与凹形模具相同的形状；分离复合微金属网格，得到形状与凹形模具相同的电磁屏蔽罩。本发明电磁屏蔽罩制作效率高，成本低、并可实现大批量制备。
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公开(公告)号：CN105374467B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510696751.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米转印方法及纳米功能器件，其中，纳米转印方法包括如下步骤：S1.在柔性金属基板上涂布光刻胶；S2.对所述涂布光刻胶的柔性金属基板进行光刻，形成沟槽图形；S3.第一次电铸处理，形成图形电极；S4.第二次电铸处理，形成转印层；S5.通过卷对平转印模式，控制所述柔性金属基板，在相应承接基板上转印形成纳米结构材料层。本发明可在同一基板上实现不同材质的纳米电极或纳米结构功能区的转印，或者在同一基板相同区域实现多层复合结构纳米电极和功能区的转印。其利用金属基底上的图形电极作为转移模具，通过电沉积工艺，在转印模具的电极上形成纳米级材料层，并将模具上纳米级材料层转移到相应的柔性基板表面。
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公开(公告)号：CN106354353A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610846762.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明公开了一种触控导电膜，包括基板和形成在所述基板上的导电网格，所述基板的可视区和非可视区的导电网格为一体成型结构。本发明还公开了应用所述触控导电膜的触控模组和显示装置。本发明的触控导电膜具有结构简单、制造方便、成本较低的优点，而且也提升了稳定性，对应降低了制造成本和组装成本。
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公开(公告)号：CN101937115B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010224529.3
申请日：2010-07-13
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: B32B38/06 , B29C59/04 , B32B37/203 , B32B2551/00 , B32B2590/00 , G02B6/0036 , G02B6/0065
Abstract: 一种导光膜制作装置，用于制作卷积筒状的导光膜，包括放料辊、收料辊、分离装置、压印装置和复合装置，其中该导光膜先经分离装置将保护层和基材层分离，然后通过该压印装置在该基材层的待加工面上压印出导光网点，再经过复合装置将剥离的保护层重新复合到基材层上，最后经收料辊回收形成完整的导光膜。本发明的导光膜制作装置，具有产量高、制作尺寸大以及成本低廉的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102063951A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010533228.9
申请日：2010-11-05
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: H05K3/1208 , H05K3/1258 , H05K3/1283 , H05K2203/0108 , H05K2203/1131
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，该透明导电膜包括透明基底和导电金属，其中在透明基底上利用纳米压印技术压制出用于埋设导电金属颗粒的凹槽以及用于透光的网格，通过设计凹槽的线宽和深度以及占整个透明导电膜的比重，得到了一种透光率高且导电性好的透明导电膜。同时，由于导电金属部分被镶嵌在透明基底内部，不易脱落和氧化，并且可以采用柔性材料作为透明基底，开发出能在更多场合下应用的透明导电膜。同时本发明还提供了该透明导电膜的制作方法。
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公开(公告)号：CN101510053A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910028297.1
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于紫外激光干涉光刻直写系统的光学镜头，其特征在于：由物方透镜组A和像方透镜组B两组透镜组成，A组透镜由A3、A2、A1三片透镜组成，B组透镜由B1、B2、B3、B4四片透镜组成；光线传播方向依次为A3、A2、A1、B1、B2、B3、B4；其中，A1、B1为弯月型凹透镜，A2、B2为双凸透镜，A3、B3、B4为弯月型凸透镜。本发明的像方透镜采用四片结构设计，因而其数值孔径大，干涉条纹的结构精细；限定物方数值孔径，可以减少透镜数量，降低实际加工的累积工艺误差，并且便于与干涉镜头物方的衍射光栅配合；可以在激光干涉直写系统上实现亚波长结构的制作。
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公开(公告)号：CN101477326A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910028296.7
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种多视角图形输入的三维图形直写方法，包括下列步骤：(1)获得三维物体的分视角平面数字图像；(2)对每幅图像进行分色并分割成子图，在各图像中对应位置相同的子图为一组；(3)取一组子图，分别采用迭代傅里叶变换原理，计算每一子图在远场的光场分布，提取位相信息，按视角排列，编码成H1；(4)用空间光调制器显示H1，并放置于透镜的前焦面，在透镜后焦面上形成多视角图像再现，引入干涉光，通过干涉光路在记录材料上记录再现图像；(5)对应下一组子图的位置，移动记录材料的位置；(6)重复上述步骤至所有子图记录完毕，实现三维图形的记录。本发明用激光直写的方式制作三维图形，图形具有丰富的信息表达特征。
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公开(公告)号：CN104981356A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201280075075.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: G02B3/0056 , B42D25/324 , B42D25/342 , B42D25/351 , B42D25/373 , G02B5/18 , G02B5/28 , G02B5/284 , G02B27/12
Abstract: 一种彩色动态放大安全薄膜，包括微透镜阵列层（20）、基材层（21）和微图文层（22）。微图文层由背景区和图文区构成，图文区分布在背景区中。微图文层由上自下依次为半透半反金属层（223）、介质层（230）和金属薄膜层（231）。金属薄膜层为平面结构，图文区的介质层厚度大于背景区的介质层厚度。半透半反金属层厚度一致，在介质层上表面仿形设置，并嵌设在所述基材层的下表面（220）。半透半反金属层、介质层和金属薄膜层构成微腔干涉结构。该彩色动态放大安全薄膜可灵活实现微图文的彩色化输出，可利用压印方式作为大规模快速生产的有效手段，为光学安全薄膜器件提供一种重要的彩色化光学视读方案。
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公开(公告)号：CN102009517B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010287422.3
申请日：2010-09-20
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: B41C3/08
Abstract: 本发明是一种金属母板的制作方法，该金属母板由至少两片金属子板拼接而成，各该金属子板上具有镭射图像的纹路，该方法主要采用电铸的方式，将至少两块金属子板间的拼缝进行填补，其中在该各片金属子板的拼接边上设有凹凸结构，相邻子板间的凹凸结构相互配合。通过该凹凸结构，既增加了金属子板间的电铸强度，又可以实现简单准确的对位，增加了金属母板的成品质量。
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