公开(公告)号：CN118999372A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411109607.3

申请日：2024-08-13

Applicant: 苏州市计量测试院

Inventor： 付晨 ,  王云祥 ,  方丹 ,  王震

IPC: G01B11/06 ,  G01B11/24 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供晶圆厚度无损测量装置及测量方法。测量装置包括支架、样品座、标准厚度片、上丝杆升降驱动机构、上激光位移传感器、下丝杆升降驱动机构、下激光位移传感器和控制器。本发明借助于已溯源的标准厚度片，通过比较测量，避免了单头测量中硅片与大理石之间的空隙引起的误差；也避免了接触式测量带来的对晶圆造成损伤的可能。通过上、下丝杆升降驱动机构预先将上、下激光位移传感器将其测距范围调节至其焦点距离，这样对晶圆测量读数就充分利用了上、下激光位移传感器测量精度最高的测距量程，实现了对晶圆非接触式的高精度测量。

公开(公告)号：CN118816728A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410727784.1

申请日：2024-06-06

Applicant: 苏州市计量测试院

Inventor： 王云祥 ,  付晨 ,  方丹 ,  王震

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明提供一种硅片厚度测量装置及测量方法，测量装置包括样品架、标准厚度片、上位移传感器、下位移传感器和计算机，标准厚度片的厚度值为已溯源的标准值h；上位移传感器用于采集计算其与标准厚度片上表面接触位置点和其与待测硅片上表面接触位置点之间的位移值h1；下位移传感器用于采集计算其与标准厚度片下表面接触位置点和其与待测硅片下表面接触位置点之间的位移值h2；待测硅片厚度为h+h1+h2。本发明借助于已溯源的标准厚度片，通过比较测量，仅使用上位移传感器和下位移传感器上较小一段作为测量行程，避免了接触式传感器测量大行程时的精度差问题，同时避免了单头测量中硅片与大理石之间的空隙引起的误差，实现硅片厚度的高精度测量。

公开(公告)号：CN117214231A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311174228.8

申请日：2023-09-12

Applicant: 苏州市计量测试院

Inventor： 方丹 ,  王云祥 ,  黄红平 ,  王震 ,  付晨

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明提供一种碳材料复合薄膜热导率测量装置及方法，涉及热导率测量技术领域。测量装置包括温控系统和真空系统，为薄膜导热系数测量提供了一个无空气自然对流及环境温度波动影响的测试环境，提升了测量准确度。测量方法包括：采用双桥法测量碳材料复合薄膜沿平行薄膜面方向的热导率，采用3ω法测量碳材料复合薄膜沿垂直薄膜面方向的热导率。本方法通过结合3ω法和双桥法热导率测量原理，可以实现平行薄膜和垂直薄膜两个方向热导率的准确测量，本方法测量快速、测量结果准确，测得实验数据可以有效反映碳材料复合薄膜热导率，为该类材料的推广应用数据支撑。

公开(公告)号：CN220913034U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202322362273.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 苏州市计量测试院

Inventor： 方丹 ,  王云祥 ,  黄红平 ,  王震 ,  付晨

IPC: G01N25/20

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜导热系数测量装置，包括放样机构、真空泵、铂电阻温度计、导热系数测量用电控设备和控制器；放样机构包括真空腔上壳体、密封垫圈、真空腔底座和放样台，真空腔上壳体和真空腔底座之间形成用于放样的真空腔体，放样台安装在真空腔体内，待测的薄膜放置在所述放样台上；真空计用于检测真空腔体内的真空度值。通过铂电阻温度计进行真空腔体内温度的检测和维持；通过真空泵对真空腔体抽真空，达到设定的真空度值；然后再通过导热系数测量用电控设备对薄膜进行导热系数的测定采集。采用本实用新型技术方案，为薄膜导热系数测量提供了一个无空气自然对流及环境温度波动影响的测试环境，提升了测量准确度。