公开(公告)号：CN108475646B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201680073092.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 沈虹 ,  王亮 ,  高桂莲

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/18 ,  H10B10/00 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：CN108886019A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780023081.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 王亮 ,  李奉燮 ,  贝尔格森·哈巴 ,  李相日

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11426 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2761 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0645 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种微电子组件，其包括：一绝缘层，其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体；及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连，而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。

公开(公告)号：CN108475646A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073092.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 沈虹 ,  王亮 ,  高桂莲

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/18 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

Abstract: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：CN108886019B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201780023081.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 王亮 ,  李奉燮 ,  贝尔格森·哈巴 ,  李相日

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种微电子组件，其包括：一绝缘层，其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体；及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连，而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。

公开(公告)号：CN116825759A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310704288.X

申请日：2017-04-27

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 王亮 ,  李奉燮 ,  贝尔格森·哈巴 ,  李相日

IPC: H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种微电子组件，其包括：一绝缘层，其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体；及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连，而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。