Patent search cpc:"H01L2224/1145" Page 1

1.

发明公开
用于被堆叠的晶粒的纳米级互连阵列有权

公开(公告)号：CN108886019A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780023081.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 王亮 , 李奉燮 , 贝尔格森·哈巴 , 李相日

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/11426 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/27003 , H01L2224/2761 , H01L2224/27618 , H01L2224/2783 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01079 , H01L2924/0615 , H01L2924/0635 , H01L2924/0645 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种微电子组件，其包括：一绝缘层，其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体；及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连，而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。

2.

发明授权
重分布层的自对准有权

公开(公告)号：CN104658969B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201410120711.2

申请日：2014-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 , 钟明慈 , 施泓业 , 吴钧 , 蔡承祐 , 陈新瑜 , 吴仓聚 , 邱文智

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03

Abstract: 一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层（RDL）使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值，而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。

3.

发明授权
包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法失效

公开(公告)号：CN104851842B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410165979.8

申请日：2014-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 陈英儒

IPC: H01L23/12 , H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/2518 , H01L2224/27015 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32258 , H01L2224/32502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明的实施例包括器件及其形成方法。一个实施例涉及一种器件，该器件包括：位于衬底的第一侧上方的阻焊涂层、通过第一连接件接合至衬底的第一侧的管芯的有源表面、以及通过第二组连接件安装至管芯的表面安装器件，表面安装器件位于管芯和衬底的第一侧之间，表面安装器件与阻焊涂层间隔开。本发明涉及包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法。

4.

发明授权
半导体裸片及形成导电元件的方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102222647B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201010534192.6

申请日：2010-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 , 吴逸文 , 刘重希

IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13147 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体裸片，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，形成于基底和接合垫上方，聚酰亚胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于聚酰亚胺层上，硅基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口的侧壁上方，且接触接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。本发明各实施例可用来改进传统焊锡凸块工艺的缺点；在各实施例中，硅基保护层保护聚酰亚胺层，防止其受到后续等离子体清洁工艺的损伤；聚酰亚胺层中开口的宽度与硅基保护层中开口的宽度相对于接合垫的宽度的比例的适当范围可改进构件的良率。

5.

发明授权
半导体封装的制造方法有权

公开(公告)号：CN103515259B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310179766.6

申请日：2013-05-15

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 沈更新

IPC: H01L21/60 , H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11318 , H01L2224/1132 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种提供用于半导体封装的晶粒结构的方法。该方法包括：提供具有一导电衬垫的基板；在该基板上形成一图案层；在该图案层上形成一开口；在该开口中沉积一导电层；在该导电层上形成一顶盖层，及移除该图案层。形成顶盖层的该步骤藉由移除该图案层之前先对焊接材料进行回焊的方法，使该顶盖层与该导电层之间的接触面积实质上等于该导电层的顶面面积。

6.

发明公开
用于半导体器件的伸长凸块结构无效复审申请

公开(公告)号：CN105762128A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610173414.3

申请日：2011-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭庭豪 , 陈玉芬 , 陈承先 , 余振华 , 吴胜郁 , 庄其达

IPC: H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/14141 , H01L2224/81192 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0105 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L23/488 , H01L23/485

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口的部分延伸到最上方保护层上方，使得从开口的边缘到凸块的边缘的距离与凸块结构的长度的比率大于或者等于大约0.2。在另一实施例中，开口的位置相对于凸块的中心产生偏移。

7.

发明授权
半导体器件和在FO-WLCSP中形成IPD的方法有权

公开(公告)号：CN102194711B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110046084.9

申请日：2011-02-25

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 , R.C.弗里 , P.C.马里穆图 , 刘凯

IPC: H01L21/50 , H01L21/02 , H01L25/16 , H01L23/64

CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/14163 , H01L2224/14165 , H01L2224/2101 , H01L2224/214 , H01L2224/221 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在FO-WLCSP中形成IPD的方法。一种半导体晶片包含半导体管芯。第一导电层形成在管芯上。电阻层形成在管芯和第一导电层上。第一绝缘层形成在管芯和电阻层上。晶片被单体化以分离管芯。该管芯被安装到临时载体。密封剂沉积在该管芯和载体上。该载体和第一绝缘层以及密封剂的一部分被除去。第二绝缘层形成在密封剂和第一绝缘层上。第二导电层形成在第一和第二绝缘层上。第三绝缘层形成在第二绝缘层和第二导电层上。第三导电层形成在第三绝缘层和第二导电层上。第四绝缘层形成在第三绝缘层和第三导电层上。

8.

发明公开
光刻胶剥离方法无效

公开(公告)号：CN105321807A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410440251.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 颀邦科技股份有限公司

Inventor： 施政宏 , 杨国华 , 侯翔彬

IPC: H01L21/027 , H01L21/48

CPC classification number: H01L21/31133 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/1181 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/014

Abstract: 一种光刻胶剥离方法，包含：提供半导体基板、浸泡步骤及剥离步骤，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，在浸泡步骤中，由于该图案化光刻胶接触化学液，可使得该第一接合界面的接合强度减弱，在剥离步骤中以具有适当冲击力的流体冲刷该半导体基板，可使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，可大幅减少基板浸泡化学液的时间，并减少化学液的用量，且由于浸泡化学液的时间较短，并不会影响该半导体基板的结构，可大幅提升生产的良率。