公开(公告)号：CN116266591A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211460457.1

申请日：2022-11-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·K·托马斯 ,  E·马特森 ,  S·李 ,  S·阿塔纳索夫 ,  C·J·杰泽斯基 ,  C·穆赫塔尔扎德 ,  T·迈克洛斯 ,  I-C·邓 ,  C·C·郭 ,  S·B·克伦德宁 ,  M·V·梅茨

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路包括下器件部分和上器件部分，所述下器件部分和所述上器件部分包括在分隔开的垂直堆叠体中的第一源极区和漏极区之间水平延伸的半导体材料的主体。第一栅极结构在所述下器件部分中的主体周围并且包括第一栅电极和第一栅极电介质。第二栅极结构在所述上器件部分中的主体周围并且包括第二栅电极和第二栅极电介质，其中，所述第一栅极电介质与所述第二栅极电介质组分不同。在一些实施例中，偶极子物质在所述第一栅极电介质中具有第一浓度，在所述第二栅极电介质中具有不同的第二浓度。还公开了一种制造方法。

公开(公告)号：CN114649416A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111366914.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·托马斯 ,  E·马特森 ,  S·李 ,  S·B·克伦德宁 ,  T·布朗-赫夫特 ,  I-C·邓 ,  T·迈克洛斯 ,  G·杜威 ,  C·郭 ,  M·梅茨 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  C·穆赫塔尔扎德

IPC: H01L29/78

Abstract: 集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠体，晶体管在其内具有不同的阈值电压(Vt)。在一些示例中，晶体管堆叠体的栅电极可以仅包括一种功函数金属。金属氧化物可以沉积在晶体管堆叠体的一个或多个沟道周围，作为将向(多个)沟道区扩散的金属氧化物物质的固态源。当扩散时，金属氧化物可以保持(例如，作为硅酸盐或铪酸盐)紧邻沟道区，从而改变栅极绝缘体材料的偶极子性质。晶体管堆叠体的不同沟道可以暴露于不同量或不同类型的金属氧化物物质，以在所述堆叠体内提供一定范围的Vt。在扩散之后，金属氧化物可以作为牺牲物被剥离或被保留。