公开(公告)号：CN116314088A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211462451.8

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·H·内勒 ,  C·J·杰泽斯基 ,  J·D·比勒费尔德 ,  J-R·陈 ,  R·V·谢比亚姆 ,  M·J·科布林斯基 ,  M·V·梅茨 ,  S·B·格伦迪宁 ,  S·李 ,  K·P·奥布莱恩 ,  K·K·马克西 ,  A·V·佩努马季哈 ,  C·J·多罗 ,  U·E·阿维奇

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文描述了具有由MX或MAX材料形成的导电区域的集成电路装置。MAX材料是分层的六方碳化物和氮化物，其包括前过渡金属(M)和A族元素(A)。MX材料去除了A族元素。MAX和MX材料是高度导电的，并且它们的二维层结构允许形成非常薄的层。MAX或MX材料可以用于形成IC电路的几种导电元件，包括接触部、互连或者用于接触部或互连的衬层或阻挡区域。