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公开(公告)号：CN106030819A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008960.5
申请日：2015-03-05
Applicant: 英特尔公司
Inventor： M·J·科布林斯基 , T·N·安徳留先科夫 , R·V·谢比亚姆 , 俞辉在
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/60
Abstract: 包括了设置在下级互连部件的顶表面上的选择性过孔接线柱的互连结构以及选择性地形成这种接线柱的制造技术。根据本文的实施例，可以独立于过孔开口中的配准误差而保持最小互连线间隔。在实施例中，选择性过孔接线柱具有小于接线柱被设置在内的过孔开口的底部横向尺寸的底部横向尺寸。导电的过孔接线柱的形成可以优先于由过孔开口所暴露的下互连部件的顶表面。随后沉积的电介质材料对过孔开口的延伸超过互连部件的其中没有形成导电的过孔接线柱的部分进行回填。上级互连部件着落在选择性过孔接线柱上以与下级特征进行电互连。
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公开(公告)号：CN114649297A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111373889.4
申请日：2021-11-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多条导电互连线，导电互连线中的各条导电互连线具有顶部和侧壁。蚀刻停止层在导电互连线中的各条导电互连线的顶部上并且沿着导电互连线中的各条导电互连线的整个侧壁。
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公开(公告)号：CN107731785B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201710951501.1
申请日：2014-09-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明描述了一种电介质层和形成所述电介质层的方法。在电介质层中限定了开口，并且在所述开口内沉积了导线，其中，所述导线包括被护套材料包围的芯材料，其中，所述护套材料呈现出第一电阻率ρ1，并且所述芯材料呈现出第二电阻率ρ2，并且ρ2小于ρ1。
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公开(公告)号：CN106068549B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201580002697.9
申请日：2015-02-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN106463358B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201480078918.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106030819B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201580008960.5
申请日：2015-03-05
Applicant: 英特尔公司
Inventor： M·J·科布林斯基 , T·N·安徳留先科夫 , R·V·谢比亚姆 , 俞辉在
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/60
Abstract: 包括了设置在下级互连部件的顶表面上的选择性过孔接线柱的互连结构以及选择性地形成这种接线柱的制造技术。根据本文的实施例，可以独立于过孔开口中的配准误差而保持最小互连线间隔。在实施例中，选择性过孔接线柱具有小于接线柱被设置在内的过孔开口的底部横向尺寸的底部横向尺寸。导电的过孔接线柱的形成可以优先于由过孔开口所暴露的下互连部件的顶表面。随后沉积的电介质材料对过孔开口的延伸超过互连部件的其中没有形成导电的过孔接线柱的部分进行回填。上级互连部件着落在选择性过孔接线柱上以与下级特征进行电互连。
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公开(公告)号：CN105473326B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480046634.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
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公开(公告)号：CN106463358A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078918.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN105473326A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046634.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
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公开(公告)号：CN110098173B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910179888.2
申请日：2015-03-05
Applicant: 英特尔公司
Inventor： M·J·科布林斯基 , T·N·安徳留先科夫 , R·V·谢比亚姆 , 俞辉在
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 包括了设置在下级互连部件的顶表面上的选择性过孔接线柱的互连结构以及选择性地形成这种接线柱的制造技术。根据本文的实施例，可以独立于过孔开口中的配准误差而保持最小互连线间隔。在实施例中，选择性过孔接线柱具有小于接线柱被设置在内的过孔开口的底部横向尺寸的底部横向尺寸。导电的过孔接线柱的形成可以优先于由过孔开口所暴露的下互连部件的顶表面。随后沉积的电介质材料对过孔开口的延伸超过互连部件的其中没有形成导电的过孔接线柱的部分进行回填。上级互连部件着落在选择性过孔接线柱上以与下级特征进行电互连。
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