公开(公告)号：CN114446872A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111170788.7

申请日：2021-10-08

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·杰泽斯基 ,  J-R·陈 ,  M·雷什奥特克 ,  J·M·布莱克韦尔 ,  M·梅茨 ,  C-Y·林

IPC: H01L21/768

Abstract: 集成电路互连结构包括具有衬垫材料的互连金属化特征，所述衬垫材料在填充金属和介电材料之间具有较大的厚度，并且在填充金属和下级互连金属化特征之间具有较小的厚度。衬垫材料可实质上不存在于填充金属与下级互连金属化特征之间的界面。在过孔底部处的厚度减小的衬垫材料可以减小过孔电阻和/或便于使用可以增强互连结构的可缩放性的高阻抗衬垫材料。在一些实施例中，利用区域选择性原子层沉积工艺将衬垫材料沉积在介电表面上。对于单镶嵌实施方式，过孔和金属线两者都可以包括选择性沉积的衬垫材料。

公开(公告)号：CN116344499A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211467313.9

申请日：2022-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·卡尔波夫 ,  M·雷什奥特克 ,  S·B·格伦迪宁 ,  J-R·陈 ,  M·梅茨

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 相邻互连线处于交错的并且垂直间隔开的位置，这相应减小了其在互连金属化的一个层级之内的电容耦合。矮的和高的互连过孔开口着陆于垂直交错的互连线上。在交错互连线中的上方互连线上选择性沉积的帽盖材料限制了矮过孔的过刻蚀，而使得高过孔朝向交错互连线中的下方互连线前进。不同深度的过孔开口可以例如利用单镶嵌金属化工艺填充，为交错的并且垂直间隔开的互连线上方的所有过孔金属化限定共面顶表面。

公开(公告)号：CN116314118A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211473178.9

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J-R·陈 ,  C·杰泽斯基 ,  J·普罗姆伯恩 ,  M·雷什奥特克 ,  M·科布林斯基 ,  S·B·克伦德宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 论述了与高高宽比互连相关的金属化互连结构、集成电路器件和方法。选择性地在露出下层金属化结构的开口的层间电介质侧壁上形成自组装单层。在下层金属化结构上并且仅在自组装单层的底部部分以内形成第一金属。去除所述自组装单层的露出部分并且在所述第一金属之上形成第二金属。

公开(公告)号：CN114256198A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110980551.9

申请日：2021-08-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： U·阿兰 ,  K·L·林 ,  M·雷什奥特克 ,  S·阿塔纳索夫 ,  C·杰泽斯基 ,  C·内勒 ,  M·科布林斯基 ,  H·J·允

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 集成电路互连结构包括具有底部阻挡材料的金属化线和没有底部阻挡材料的金属化过孔。在金属化线的底部处的阻挡材料可以与在金属化线的侧壁上的阻挡材料一起减轻填充金属从线的扩散或迁移。在过孔的底部处没有阻挡材料可以减小过孔电阻和/或促进可以增强互连结构的可缩放性的高电阻阻挡材料的使用。可以将多种掩模材料和图案化技术集成到双镶嵌互连工艺中，以提供阻挡材料和不受阻挡材料的负担的低电阻过孔。

公开(公告)号：CN112151499A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010220559.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·L·林 ,  M·昌德霍克 ,  M·雷什奥特克 ,  C·杰泽斯基 ,  E·韩 ,  G·辛格 ,  S·阿塔纳索夫 ,  I·A·扬

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种互连结构。所述互连结构包括第一互连线和第二互连线。第一互连线和第二互连线是交错的。第二互连线中的各个互连与第一互连线中的各个互连横向偏移。电介质材料与第一互连线和第二互连线中的至少一个中的各个互连的至少一部分相邻。